Разработка и моделирование энергосберегающих наноструктур памяти для вычислительных систем

ФИО студента: Семенов Виталий Андреевич

Руководитель: Трубочкина Надежда Константиновна

Кампус/факультет: Факультет информационных технологий и вычислительной техники

Программа: Информатика и вычислительная техника (Бакалавриат)

Год защиты: 2015

В данной выпускной квалификационной работе рассматривается разработка наноструктуры элемента памяти на базе RS-триггера. Цель работы: разработка и моделирование нового элемента памяти для вычислительных систем и суперкомпьютеров будущего. В ходе ВКР были исследованы существующие типы элементов памяти, их преимущества и недостатки, были подробно исследованы и разобраны современные крупнейшие и самые распространенные системы моделирования TCAD. Кроме этого была разработана геометрия наноструктуры элемента памяти и его математическая модель, выбраны и проанализированы возможные материалы для создания схемы и их характеристики. Экспериментальная часть работы заключается в моделировании наноструктуры элемента памяти в Synopsys TCAD - создание структуры и изучение происходящих в ней физических процессов. В результате разработан прототип элемента статической оперативной энергозависимой памяти с пониженным энергопотреблением, корректно обрабатывающий поступающие сигналы.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ