Эпитаксиальный рост ВТСП плёнок второго поколения, наносимых методом импульсного лазерного осаждения

ФИО студента: Епифанов Никита Андреевич

Руководитель: Бондаренко Геннадий Германович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Нанотехнологии и микросистемная техника (Бакалавриат)

Год защиты: 2016

АННОТАЦИЯ Данная выпускная квалификационная работа посвящена росту ВТСП лент второго поколения методом импульсного лазерного осаждения. Работа состоит из трех разделов: теоретического, методического и экспериментального. В теоретической части выпускной квалификационной работы приведен литературный обзор по таким тематикам, как: ВТСП I-го и II-го поколений, методы текстурирования подложек. Далее описывается наиболее распространённая архитектура ВТСП лент, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Также содержится информация об особенностях получения ВТСП слоя, с которыми сталкиваются научные группы на сегодняшний день. Во второй части работы приведено описание метода импульсного лазерного осаждения, а также аналитических методик, которые применялись для изучения образцов. Также приведены названия и характеристики установок, используемых в данной ВКР. Экспериментальный раздел работы состоит из четырех частей. Первая часть посвящена текстурированным металлическим подложкам Ni-W, их биаксиальной текстуре. Вторая часть посвящена росту буферных слоев, изучено влияние параметров роста на структуру. В третьей части описан процесс формирования ВТСП слоя, исследована зависимость образования а-ориентированных кристаллитов от температуры осаждения и толщины эпитаксиальных слоев. Последний раздел посвящен оптимизации параметров роста слоя YBCO с целью улучшения токонесущих способностей ленты. Выпускная квалификационная работа содержит: страниц - 48, рисунков – 30, таблиц – 2, список литературы – 25 наименований.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ