Обработка результатов измерений ВАХ МОП-транзисторов в условиях экстремальной температуры и построение их моделей для целей САПР

ФИО студента: Кузин Егор Юрьевич

Руководитель: Петросянц Константин Орестович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Оценка: 9

Год защиты: 2017

В данной работе проведено исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Целью работы было оценить работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. В процессе работы было изучено влияние температуры на основные параметры МОП транзисторов. Исследованы существующие компактные модели МОП транзисторов. Были обработаны результаты измерений ВАХ МОП-транзисторов в условиях экстремальной температуры и построены их модели, на основе которых смоделирована и исследована работа схемы компаратора.

Текст работы (работа добавлена 15 мая 2017 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ