Определение параметров модели полевого транзистора для сверхвысоких частот

ФИО студента: Степыгин Дмитрий Андреевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Оценка: 8

Год защиты: 2017

Аннотация Основной целью данной работы является формирование комплекса указаний для определения (экстракции) параметров модели полевого транзистора на примере МОП-транзистора для сверхвысоких частот. В первой главе работы произведен обзор литературы по теме. Во второй главе рассмотрен процесс измерения S-параметров, проиллюстрирована и описана типовая схема измерений для высокочастотного моделирования компании Keysight Technologies. Разобрана процедура деэмбеддинга с приведением примеров. В третьей главе происходит выбор подходящей высокочастотной модели и его обоснование. В четвертой представлен оптимальный маршрут экстракции параметров высокочастотной модели МОП-транзистора. Проведена экстракция параметров (статических, емкостных, высокочастотных) для набора тестовых структур. А также определена относительная погрешность совпадения смоделированных и измеренных электрических характеристик.

Текст работы (работа добавлена 29 мая 2017 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ