Теоретическое и экспериментальное исследование электрических характеристик МОП-транзисторов с субмикронными размерами и отдельных схемных фрагментов для телекоммуникационных ИС

ФИО студента: Даныкин Владимир Сергеевич

Руководитель: Петросянц Константин Орестович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Оценка: 8

Год защиты: 2017

В данной работе объектом исследования являются n-канальные субмикронные МОП-транзисторы различных размеров. Цель работы – изучить влияние температуры на токовые характеристики МОПТ. В процессе работы были изучены принципы работы МОП-транзисторов, влияния температуры на их характеристики. Был разработан и реализован блок коммутации для программно-аппаратного комплекса, проводящего автоматизированные измерения вольт-амперных характеристик МОП-транзисторов. Приведены данные измерений характеристик n-канальных субмикронных МОПТ. Определены пороговые напряжения, подвижность, токи утечки транзисторов и параметры HSPICE модели. Смоделированы схемы логических устройств: «инвертор», «сумматор», «2И». В отчёте 57 страниц, 45 рисунков, 2 таблицы.

Текст работы (работа добавлена 14 мая 2017 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ