Исследование влияния тепловых эффектов на характеристики субмикронных МОП-транзисторов телекоммуникационных ИС. Построение тепловых моделей МОПТ

ФИО студента: Четвериков Игорь Александрович

Руководитель: Петросянц Константин Орестович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Оценка: 8

Год защиты: 2017

В данной магистерской работе исследуется влияния тепловых эффектов на характеристики субмикронных МОП транзисторов телекоммуникационных ИС. Объектом исследования в данной работе является субмикронный МОП транзистор. Цель работы – экспериментально исследовать тепловые эффекты субмикронных МОПТ в широком интервале температур. В теоретической части рассмотрены влияние тепловых эффектов на характеристики МОПТ в широком интервале температур (77K – 500K). В практической части моделирование зависимостей порогового напряжения от температуры, а также представлена улучшенная модель BSIM3v3 МОПТ. Данная магистерская работа состоит из введения, двух основных частей, заключения и библиографического списка. Теоретическая и практическая часть разделены на подразделы. Объем выпускной квалификационной работы 50 листов, включая 31 рисунок и 35 формул.

Текст работы (работа добавлена 14 мая 2017 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ