• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

ФИО студента
Название работы
Руководитель
Факультет
Программа
Оценка
Год защиты
Ичетовкин Максим Иванович
Исследование технологии монтажа кристаллов MOS/DMOS-транзисторов сплавами Au–Si / Ag–Pt в никелированные и позолоченные корпуса
8
2018
Цель настоящей работы состояла в исследовании технологии монтажа кристаллов MOS/DMOS-транзисторов сплавами Au–Si / Ag–Pb в никелированные и позолоченные корпуса. Было проведено исследование двух типов пайки: эвтектикой Au–Si, а также припоем свинцово-серебряным ПСр-2.5.

С целью улучшения качества пайки эвтектическим сплавом была применена операция предварительной очистки слоя окисла с обратной стороны кремниевой пластины при помощи ионной бомбардировки аргоном, а также нанесение металлизации: 0.01 мкм титана и 0.1 мкм золота. Далее производилось гальваническое осаждение золота толщиной 4 – 7 мкм.

Показано, что исключить образование пустот между корпусом и кристаллом прибора, а также снизить тепловое сопротивление (Rt) между ними возможно, благодаря металлизации обратной стороны кремниевой пластины и применению предварительной очистки обратной стороны. В результате получили среднее Rt = 0.48°С/Вт при площади кристалла 42мм2. Перед пайкой свинцово-серебряным припоем также была произведена очистка с дальнейшей металлизацией обратной стороны пластины покрытием Ti-Ni (0.1 Ti и 0.1 Ni).

Выявлено, что для пайки припоем ПСр-2.5 целесообразней использовать никелированные корпуса, а не позолоченные, так как это позволяет получить меньшее Rt. В результате получили среднее Rt = 0.48°С/Вт для никелированного корпуса, а для позолоченного 0,66°С/Вт при площади кристалла 42мм2.
Текст работы (работа добавлена 28 апреля 2018г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Расширенный поиск ВКР