Формирование электрического заряда в диэлектриках при облучении потоками электронов

ФИО студента: Самиев Бауржан -

Руководитель: Новиков Лев Симонович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Прикладная физика (Магистратура)

Год защиты: 2018

В данной работе были выявлены закономерности накопления объемного заряда в диэлектриках, облучаемых электронами с энергиями 1-10 МэВ, изучили физические процессы накопления объемного заряда и возникновения электрического поля в объеме. Определяли численное моделирование с помощью программных комплексов, процессов формирования заряда в диэлектрических элементах современного малого космического аппарата с последующим расчетным анализом возможности возникновения в диэлектриках объемных электрических разрядов, приводящих к созданию электромагнитных помех работе бортового электронного оборудования аппаратов и разрушению диэлектриков. Изучали принципы работы компьютерных программ GEANT4,CATIA, и DICTAT, приобрел практические навыки работы с указанными программами, на которых проводили компьютерное моделирование накопления заряда и возникновения электрического поля в объеме облучаемых потоками электронов.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ