Анализ причин брака при производстве кремниевых СВЧ диодов сантиметрового диапазона

ФИО студента: Смолькин Дмитрий Александрович

Руководитель: Лысенко Александр Павлович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Оценка: 7

Год защиты: 2018

В данной работе проведен анализ причин брака при производстве кремниевых СВЧ p-i-n диодов. Для проведения исследований использованы образцы сечений меза кристаллов, с помощью которых можно визуализировать и измерить основные элементы конструкции прибора. В работе использована методика, основанная на получении и наблюдении с помощью оптического микроскопа образцов сечений меза кристалла в плоскости перпендикулярной его основанию. Выявлена взаимосвязь между различными вариантами исполнения меза структур, их основными конструктивными параметрами и процентом выхода годных кристаллов на пластине.

Текст работы (работа добавлена 20 мая 2018 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ