Создание сверхпроводящих микроструктур методами Ван-дер-Ваальсова переноса

Данная работа посвящена получению микрочешуечных образцов SrxBi2Se3 и изучению их сверхпроводящих свойств. Ранее в лаборатории сильно коррелированных структур ФИАН удалось обнаружить переход в сверхпроводящее состояние монокристалла того же образца при Тс = 2,6 К. [9]. Интерес к SrxBi2Se3 вызван низкой концентрацией носителей ≈ 1019см.-3, тогда для чешуйки толщиной порядка 20 нм. будет достигнута двумерная концентрация носителей ≈ 2·1013см.-2. В связи с этим предполагается, что такую малую концентрацию носителей в образце удастся регулировать при помощи затвора (SiO2), тем самым «включая/выключая» сверхпроводимость. В данной работе детально описаны все стадии процесса создания образца для финального эксперимента по измерению температурной зависимости проводимости микрочешуечных образцов SrxBi2Se3. В частности, получение чешуек из монокристалла методом скотча, метод сухого переноса тонких чешуек с точным позиционированием, процесс фотолитографии с использованием лазерного литографа, работа на вакуумной установке электронно-лучевого напыления, разводка контактов с использованием установки ультразвуковой микросварки. Финальным экспериментом было измерение температурной зависимости проводимости микрочешуечных образцов SrxBi2Se3 в широком температурном диапазоне (2-300 К.). Проведенный эксперимент не выявил сверхпроводимости в подготовленных образцах. Предполагается, что причиной этому послужило химическое воздействие на чешуйки в процессе литографии (ацетон, раствор проявителя).