• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Версия для слабовидящихЛичный кабинет сотрудника ВШЭПоискМеню

Сверхпроводящие гетероструктуры для применения в электронике и коммуникационных технологиях

ФИО студента: Карабасов Тайржан -

Руководитель: Васенко Андрей Сергеевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Год защиты: 2018

В данном исследование изучается вопрос поведения критической температуры в сверхпроводящих S/F/S (S – сверхпроводник, F-ферромагнетик ) гетероструктурах. Целью работы является расширение и обобщение теоретических основ для расчета критической температуры в S/F/S структурах и предоставление соответсвующих результатов. Проблема формулируется с помощью дифференциальных уравнений Узаделя и определенными граничными условиями. Для решения данной проблемы в исследовании используются ранее разработанные методы одномодовой и мультимодовой аппроксимации. Результаты представлены в форме графических зависимостей критической температуры от толщины ферромагнетика . Анализируя полученные результаты, можно заметить, что зависимость показывает осциллирующее поведение с затуханием в S/F/S системах. В работе приводится сравнение между одномодовым и мультимодовым методами расчета критической температуры. Более того, также приведен анализ критической толщины сверхпроводника S. Данное исследование может быть интересно тем, кто изучает свойства гибридных наноструктур, а также служить дополнительными теоретическими сведениями для изучения более сложных многослойных систем.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ