• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Геометрия особых двойных накрытий

ФИО студента: Кузнецова Александра Александровна

Руководитель: Шрамов Константин Александрович

Кампус/факультет: Факультет математики

Программа: Математика (Магистратура)

Оценка: 9

Год защиты: 2018

В этой работе мы исследуем рационально связные не рациональные трехмерные многообразия. Первый пример подобного многообразия был построен М.\,Артином и Д.\,Мамфордом. Им оказалось двулистное накрытие проективного пространства, разветвленное в нодальной поверхности степени 4 с 10 нодами. Затем С.\,Эндрас показал, что конструкция М.\,Артина и Д.\,Мамфорда дает единственное семейство с нетривиальным препятствием к рациональности в классе двойных накрытий с ветвлением в нодальной квартике. Мы рассмотрим случай двойных накрытий, разветвленных в поверхности степени 6. Для них мы укажем минимальный тип двойных накрытий с нетривиальным препятствием к рациональности. Затем мы исследуем двойные накрытия минимального типа.

Текст работы (работа добавлена 4 июня 2018 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ