Оптимизация магнитного экранирования радиоэлектронной аппаратуры

ФИО студента: Шурыгин Виктор Александрович

Руководитель: Кечиев Леонид Николаевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Год защиты: 2019

В ходе данной работы было проведено исследование явления магнитного экранирования. Были описаны характеристики, необходимые для оценки влияния магнитного поля на экран; механизм работы магнитного экранирования. Основной акцент сделан на проблемах, возникающих при проектировании магнитных экранов. На основе изученных источников был отобран и проверен метод для расчета эффективности магнитного экрана. Данный метод был обобщён в виде алгоритма вычисления и оптимизации параметров экрана. В свою очередь, на основе алгоритма было разработано программное обеспечение для нахождение максимальной эффективности экрана и оптимизации его характеристик в сторону уменьшения размеров или увеличения эффективности. Был проведен тестовый расчет, показавший целесообразность применения данной программы на ранних этапах разработки экранов. В заключении было предоставлено руководство по эксплуатации данной программы для возможного дальнейшего внедрения в производство.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ