Моделирование электрических характеристик схем на биполярных транзисторах с учетом различных параметров радиационного излучения

ФИО студента: Степыгин Дмитрий Андреевич

Руководитель: Кожухов Максим Владимирович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Оценка: 8

Год защиты: 2019

В данной работе объектом исследования является эффект влияния низкой интенсивности дозы на биполярные транзисторы и операционный усилитель uA741. Цель работы заключалась в создании радиационной SPICE-модели биполярного транзистора учитывающей ELDRS эффект. В процессе работы был изучен подход к созданию радиационно-стойких моделей и природа возникновения эффекта низкой интенсивности. С помощью программы схемотехнического моделирования LTSpice была создана радиационная SPICE – модель биполярного транзистора путем добавления в базовую модель новых параметров, которые позволяют учитывать эффект низкой интенсивности. Проведено схемотехническое моделирование электрических характеристик биполярных транзисторов и ОУ uA741 при различных дозах и мощности дозы. Разработанная модель может быть использована при проектировании интегральных микросхем с учетом эффекта низкой интенсивности.

Текст работы (работа добавлена 19 мая 2019 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ