• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Расчет магнитодинамики в спиральной магнитной структуре

ФИО студента: Мансуров Магомедсайгид Насирович

Руководитель: Пугач Наталия Григорьевна

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Оценка: 7

Год защиты: 2019

Объектом изучения в данной работе являются магнитные структуры в соединении MnSi и их поведение в зависимости от внешнего магнитного поля и температуры. В качестве теоретической модели использована феноменологическая термодинамическая модель Бака – Йенсена для кристаллов, относящихся к пространственной группе P_(2_1 3). Дополнительно учтены энергии взаимодействия магнитных моментов втомов с внешним магнитным полем. Главной целью работы было проведение расчетов параметров магнитных структур, возникающих в соединении MnSi при различных значениях температур и магнитных полей и написание программы, которая для MnSi-подобных систем визуализирует вектора намагниченности S ⃗ в пространстве, а также объяснить особенности экспериментальной фазовой диаграммы магнитное поле – температура в MnSi-подобных системах. Отчет МКР содержит введение, постановку задачи, алгоритм минимизации свободной энергии, описание результатов расчета, выводы из результатов расчета, заключение и список использованной литературы. В первой части работы описываются поставленные задачи и дается теоретическое описание графена и его модификаций. Во второй части приводится алгоритм минимизации свободной энергии и описание результатов расчета. Работа включает 21 иллюстраций и 30 использованных источников литературы.

Текст работы (работа добавлена 20 мая 2019 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ