Дизайн и изготовление сверхпроводящих микроструктур с высокой кинетической индуктивностью

ФИО студента: Емельянова Виктория Олеговна

Руководитель: Арутюнов Константин Юрьевич

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Оценка: 8

Год защиты: 2020

В данной работе рассматриваются этапы проектирования и создания микроструктур с высокой кинетической индуктивностью. Теоретическая часть включает описание основных свойств резиста, требования к геометрии образцов, обладающих высокой кинетической индуктивностью, виды литографии и методы напыления. Описания практической части содержит этапы создания шаблонов в системе автоматического проектирования AutoCAD и требования, предъявляемые к ним, а также описание лабораторного процесса создания образцов. В ходе работы разработаны три чертежа: один для создания тигля и два – для прототипа микроструктуры. На основе последних методом фотолитографии и электронно-лучевого напыления будут изготовлены образцы для дальнейших исследований зависимости кинетический индуктивности от частоты.

Текст работы (работа добавлена 13 мая 2020 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ