• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Влияние магнитного поля на структуру и электрические свойства тонких плёнок оксида цинка

ФИО студента: Кулмурзаев Рустем Рашидович

Руководитель: Бондаренко Геннадий Германович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Оценка: 9

Год защиты: 2020

Целью работы являлось получение тонких пленок ZnO удовлетворительного качества и экспериментальных данных о влиянии импульсного магнитного поля на их структуру и электрические свойства. В ходе выполнения работы методом магнетронного распыления были получены тонкие пленки оксида цинка; методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы морфология и структура полученных пленок, а также определена их толщина. При исследовании выращенных тонких пленок оксида цинка получены новые экспериментальные данные об электрических характеристиках, временной стабильности электрических характеристик тонких пленок и влиянии на них импульсного магнитного поля.

Текст работы (работа добавлена 14 мая 2020 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ