Измерение и моделирование характеристик логических схем с учётом низкоинтенсивного космического излучения

Целью настоящего дипломного проекта было получить и верифицировать SPICE-модели для КМОП-транзисторов, изготовленных по радиационно-стойкой технологии. В соответствии с заданной целью, поставленные в проекте задачи состояли в измерении характеристик логических схем с учетом воздействия радиационного излучения низкой интенсивности при различной накопленной дозе, в разработке моделей КМОП-транзисторов по результатам проведенных измерений, SPICE-моделировании исследуемых логических схем и определении сдвига их параметров. Для этого схемы И-НЕ IN74AC00, ИЛИ-НЕ IN74AC02, а также кольцевые генераторы на этих схемах были облучены потоком гамма-частиц. После этого для различных накопленных доз были измерены передаточные и переходные характеристики схем. На основе полученных экспериментальных данных были разработаны модели КМОП-транзисторов n-типа и p-типа с учетом зависимостей порогового напряжения и подвижности носителей заряда от дозы. Полученные модели радиационно-стойких транзисторов могут быть использованы при моделировании логических схем и предсказании их поведения по мере накопления дозы.