Моделирование высокочастотного полевого транзистора

Целью данной работы является формирование и верификация методики и процедуры моделирования высокочастотных полевых транзисторов на примере короткоканальных МОП-транзисторов, изготовленных по КМОП-технологии с топологическими нормами 100 нм. В первой главе была рассмотрены общие характеристики высокочастотной КМОП-технологии, параметры высокочастотных полевых транзисторов, которые необходимо учитывать при моделировании, такие как: частота среза, максимальная частота колебаний и коэффициент шума. Также в этой главе были рассмотрены требования как для ВЧ схем по мощности и частоте, так и для транзисторов в плане масштабирования. Во второй главе была рассмотрена методика высокочастотных измере-ний, включая предварительную калибровку и деембединг; моделирование эффектов, имеющих место в ВЧ МОПТ (как внутренние, так и внешние). В третьей главе были показаны результаты измерений характеристик на высоких частотах (по литературным данным), была сформирована методика идентификации параметров модели, включая автоматизированное определение параметров базовой SPICE-модели и расчёт параметров компонентов внешней макромодели; проведена верификация перечисленных методик на конкретном примере при идентификации параметров.