Исследование модели отказов микросхем, обусловленных пробоем подзатворного диэлектрика

ФИО студента: Хораськина Анна Васильевна

Руководитель: Жаднов Валерий Владимирович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Год защиты: 2020

Настоящая выпускная квалификационная работа посвящена исследованию модели отказов микросхем, обусловленных пробоем подзатворного диэлектрика. Целью исследования является исследования на модель интенсивности отказов её параметров. В качестве основного инструмента используется математический пакет PTC Mathcad. Результатами исследования являются графики зависимости модели отказов от её параметров и выявление параметров, которые значительнее остальных влияют на модель.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ