Экспериментальное изучение транспортных свойств и терагерцового отклика 2D электронного газа в квантовых ямах на основе HgTe

Целью работы было экспериментально проверить возможность управления спектром носителей в квантовых ямах на основе HgTe при помощи давления и температуры, и, в частности, переключения <<топологического состояния>>, существенного для создания квантового <<топологического транзистора>>. Экспериментально, такое переключение in situ можно наблюдать как по особенностям транспортных свойств образца, так и с помощью терагерцовой поляризационно-зависимой фото-ЭДС, и обе эти методики являлись предметом данного исследования. На основе двумерного топологического изолятора (CdHgTe/HgTe/CdHgTe) нами была изготовлена мезаструктура, выполнено измерение её транспортных свойств, подтверждающих наличие, присущих 2D топологическому изолятору, краевых токов, вычислены некоторые характеристики носителей заряда. Была собрана и отлажена экспериментальная установка и подготовлен образец для наблюдения терагерцового отклика.