Моделирование характеристик КМОП схем с учетом эффектов «горячих» носителей

С развитием технологических процессов КМОП схем с уменьшающимися размерами возрастают электрические поля в структурах МОПТ и усиливаются эффекты «горячих» носителей. Эти факторы приводят к старению компонентов со временем, что может приводить к сбоям и их необходимо учитывать при моделировании работы КМОП схем. Данная работа посвящена моделированию КМОП транзисторов и схем с учетом влияния эффектов «горячих» носителей, а именно, инжекция горячих носителей и температурная нестабильность при отрицательном смещении. В ходе работы были составлены и отлажены программы для пакета Mathcad, позволяющие моделировать старение характеристик МОП транзисторов с учетом указанных факторов. С использованием результатов, полученных в MathCad, было проведено моделирование аналоговой и цифровой КМОП схем в среде LTSpice и проведен анализ влияния эффектов «горячих» носителей на эти КМОП схемы и ухудшение их параметров со временем.