• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Исследование и моделирование характеристик аналоговых схем в диапазоне криогенной температуры

ФИО студента: Ростовцев Андрей Владиславович

Руководитель: Исмаил-Заде Мамед Рашидович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инфокоммуникационные технологии и системы связи (Бакалавриат)

Год защиты: 2021

Основная цель данной работы – создание, улучшение существующих Low-T версий SPICE-моделей Ge JFET для диапазона криогенных температур. Для этого были изучены явления, которые наблюдаются при таких низких температурах в полупроводниках, проведен анализ существующих моделей Ge JFET и их недостатков, сделан обзор основных инструментов, CAD-систем, используемых для моделирования. SPICE-модель транзистора была построена с учетом изученных низкотемпературных явлений. На основе данной модели смоделированы аналоговые схемы с последующим анализом поведения параметров схемы в зависимости от температуры.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ