• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Исследование характеристик полупроводниковой структуры на основе беспереходного транзистора

ФИО студента: Моисеев Григор -

Руководитель: Попов Дмитрий Александрович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Материалы. Приборы. Нанотехнологии (Магистратура)

Год защиты: 2021

В данной выпускной квалификационной работе приводится описание транзисторов не содержащих в себе p-n переходов – беспереходных транзисторов JLFET (Junctionless Field Effect Transistor). Рассмотренны физические основы функционирования беспереходного транзистора. Рассмотренно влияние ряда параметров на производительность беспереходных транзисторов. На основе беспереходного транзистора предложена структура обладающая лучшими характеристиками по сравнению с беспереходными транзисторами. Проведено численное моделирование предлагаемой структуры в системе TCAD при различных температурных режимах. Рассчитана вольт-амперная характеристика (ВАХ) предлагаемой структуры. Показано, что предлагаемая структура обладает лучшей ВАХ в сравнении с ВАХ беспереходного транзистора.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ