Моделирование сбоев в статических ячейках памяти при масштабировании размеров элементов с учетом температурных эффектов

ФИО студента: Султанов Азат Олегович

Руководитель: Попов Дмитрий Александрович

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Инжиниринг в электронике (Магистратура)

Год защиты: 2021

В данной работе объектом исследования является физические процессы в статических ячейках памяти в условиях космического пространства. Целью работы является разработка TCAD модели для оценки радиационной стойкости полупроводниковых структур, в частности, статических ячеек памяти, в зависимости от размеров МОП-транзисторов, входящих в их состав с учетом температурных эффектов. В процессе работы изучены физические особенности обратимых одиночных сбоев с учетом температурных эффектов. Проведена валидация разработанной модели на основе экспериментальных данных. Также проведена оценка стойкости к обратимым одиночным сбоям для 1 мкм, 130 нм, 90 нм ячеек памяти SRAM 6T с учетом температурных эффектов. Полученные результаты оценки радиационной стойкости ячеек памяти подтверждаются современными тенденциями в данной области.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ