Теория кулоновских комплексов с отрицательной приведённой массой в двумерных полупроводниках

ФИО студента: Мамедов Джавид Вахид оглы

Кампус/факультет: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук

Программа: Теоретическая и математическая физика (Магистратура)

Оценка: 10

Год защиты: 2022

Монослои дихалькогенидов переходных металлов характеризуются появлением коррелированных кулоновских комплексов: экситонов, трионов, биэкситонов, вблизи точек K+ и K– зоны Бриллюэна, где реализуется прямая запрещенная зона. В недавних экспериментах были обнаружены кулоновские комплексы, в которых один из электронов находится не в основной (нижней по энергии), а в возбужденной зоне проводимости. Отличительной особенностью дисперсии возбужденной зоны проводимости является отрицательная эффективная масса. В данной работе рассчитана энергия связи экситонов и трионов с электроном в высоколежащей зоне, для чего использованы вариационный метод и теория рассеяния, а также изучено условие существования трионов с отрицательной приведённой массой в приближении параболической дисперсии.

Текст работы (работа добавлена 21 мая 2022 г.)

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ