Master
2019/2020
MOS Transistors
Type:
Elective course (Electronic Engineering)
Area of studies:
Electronics and Nanoelectronics
Delivered by:
School of Electronic Engineering
When:
1 year, 3 module
Mode of studies:
distance learning
Instructors:
Alexander Yurin
Master’s programme:
Electronic Engineering
Language:
English
ECTS credits:
3
Contact hours:
2
Course Syllabus
Abstract
Learn how MOS transistors work, and how to model them. The understanding provided in this course is essential not only for device modelers, but also for designers of high-performance circuits. The course is based on MOOC “MOS transistors” https://www.coursera.org/learn/mosfet (Platform - Coursera.org)
Expected Learning Outcomes
- Know basic of MOS transistors
- Have skills in models for circuit simulation
- Ability to build the simplest physical and mathematical models of devices, circuits, devices and installations of electronics and nanoelectronics for various functional purposes, as well as use standard software tools for their computer simulation
- Ability to reasonably select and implement in practice an effective methodology for the experimental study of the parameters and characteristics of devices, circuits, devices and installations of electronics and nanoelectronics for various functional purposes
Course Contents
- Overview of the MOS Transistor
- The Two-Terminal and Three-Terminal MOS Structures
- The Long-Channel MOS Transistor
- Small-Dimension Effects
- Modeling for Circuits Simulation
- Large-Signal Dynamic Operation
- Small-Signal Modeling
Assessment Elements
- Online Course Grade
- Final ExamЭкзамен проводится в устной форме (опрос по материалам курса). Экзамен проводится на платформе Jitsi https://meet.miem.hse.ru К экзамену необходимо подключиться согласно расписанию ответов, высланному преподавателем на корпоративные почты студентов накануне экзамена. Компьютер студента должен удовлетворять требованиям: наличие рабочей камеры и микрофона, поддержка Jitsi. Для участия в экзамене студент обязан: поставить на аватар свою фотографию, явиться на экзамен согласно точному расписанию, при ответе включить камеру и микрофон. Во время экзамена студентам запрещено: выключать камеру, пользоваться конспектами и подсказками. Кратковременным нарушением связи во время экзамена считается нарушение связи менее минуты. Долговременным нарушением связи во время экзамена считается нарушение минута и более. При долговременном нарушении связи студент не может продолжить участие в экзамене. Процедура пересдачи подразумевает использование усложненных заданий. Данная дисциплина обеспечивает формирование следующих компетенций согласно ОрОС: ПК-5, ПК-6, ПК-7, УК-3, УК-4, УК-7, ОПК-5
Bibliography
Recommended Core Bibliography
- M. Alioto and G. Palumbo, Model and Design of Bipolar and MOS Current-Mode Logic (CML, ECL and SCL Digital Circuits). New York: Springer, 2005
Recommended Additional Bibliography
- Croon, Jeroen A., Willy Sansen, and Herman E. Maes. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. Dordrecht, The Netherlands: Springer, 2005.
- Mahapatra Souvik. Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors. New Delhi: Springer, 2016.