• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
  • HSE University
  • Research projects
  • Integrated multiphysical simulation of basic designs and technologies of a new generation of microminiature, micropower semiconductor photo and beta voltaic batteries and sensors with a long service life for autonomous medical and technical systems for various purposes

Integrated multiphysical simulation of basic designs and technologies of a new generation of microminiature, micropower semiconductor photo and beta voltaic batteries and sensors with a long service life for autonomous medical and technical systems for various purposes

Priority areas of development: engineering science
2019
The project has been carried out as part of the HSE Program of Fundamental Studies.

Publications:


Харитонов И. А. SPICE модели МОПТ, учитывающие эффекты старения // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск. 96, 2020 Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 300-307.
Наноиндустрия. Специальный выпуск. 96, 2020 Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А. Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск. 96, 2020 Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 291-295.
Петросянц К. О., Попов Д. А. Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала // В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия. НИИСИ РАН, 2019. С. 27-28.
Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2020. Т. 25. № 1. С. 40-47. doi
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Model of Stacked IC-TSV-BGA Package, in: 25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019). Milan : IEEE, 2019. Ch. P2-2_123. P. 1-4. doi
Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology, in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018 Vol. 11022G. SPIE, 2019. P. 1-6. doi
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Pugachev A., Lvov B. G. I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1353. No. 1. P. 1-7. doi
Попов Д. А. TCAD-моделирование субмикронных и нанометровых МОПТ КНИ структур с учётом температуры и радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. М. : ООО "Спектр", 2019. С. 270-277.
Petrosyants K. O., Pugachev A. A., Kharitonov I. A. Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries, in: Proceedings of the Seventh European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES2019). Madrid : , 2019. P. 1-7.
Petrosyants K. O., Popov D. Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide, in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi