• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
For visually-impairedUser profile (HSE staff only)SearchMenu

Investigation of the temperature and time characteristics of heterostructures with quantum dots and micro-emitters based on them

2021

Publications:


Сибирев Н. В., Бердников Ю. С., Федоров В. В., Шторм И. В., Большаков А. Д. Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 11. C. 969-972. doi
Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Lendyashova V. V., Kirilenko D. A., Soshnikov I. P., Shevchuk D. S., Cirlin G. G. Multi-colour light emission from InGaN nanowires monolithically grown on Si substrate by MBE // Nanotechnology. 2021. Vol. 32. No. 33. doi
Zhukov A., Blokhin S., Maleev N. A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M. Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode // Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677-40686. doi
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. C. 30-33. doi
Neplokh V., Fedorov V., Mozharov A., Kochetkov F., Shugurov K., Moiseev E., Amador-Mendez N., Statsenko T., Morozova S., Krasnikov D., Nasibulin A., Islamova R., Cirlin G., Tchernycheva M., Mukhin I. Red GaPAs/GaP Nanowire-Based Flexible Light-Emitting Diodes // NANOMATERIALS. 2021. Vol. 11. No. 10. doi
Nadtochiy A., Gordeev N. Y., Kharchenko A. A., Berdnikov Y., Maximov M., Zhukov A. Saturated Layer Gain in Waveguides With InGaAs Quantum Well-Dot Heterostructures // Journal of Lightwave Technology. 2021. Vol. 39. No. 23. P. 7479-7485. doi
Шерняков Ю., Гордеев Н., Паюсов А., Серин А., Корнышов Г., Надточий А. М., Кулагина М., Минтаиров С., Калюжный Н., Максимов М. В., Жуков А. Е. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 3. C. 256-263. doi
Малевская А., Калюжный Н. А., Малевский Д. А., Минтаиров С. А., Надточий А. М., Нахимович М. В., Солдатенков Ф. Ю., Шварц М. З., Андреев В. М. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. C. 699-703. doi
Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI. Washington : SPIE, 2021. С. 75-79.