• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
Language Proficiency
English
Contacts
Phone:
+7 (495) 772-9590 доб 15208
E-mail:
Address: 34, Tallinskaya, Moscow, Russia
Timetable
Download CV (DOC, 31 Kb)
SPIN-RSCI: 1359-6351
ORCID: 0000-0001-7969-4786
ResearcherID: H-7772-2015
Scopus AuthorID: 6602577918
Google Scholar
Office hours
Mon.  1-3 pm Wed.  1-3 pmThu.    1-3 pm
Supervisor
B. G. Lvov
Printable version

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Konstantin O. Petrosyants

  • Tenured Professor (2013)
  • Konstantin O. Petrosyants has been at HSE since 2012.

Education, Degrees and Academic Titles

  • 1987
    Professor
  • 1985

    Doctor of Sciences* in Solid-state Electronics, Radioelectronic Components, Micro- and Nanoelectronics, Quantum Effect Devices
    Moscow State Institute of Electronics and Mathematics

  • 1980
    Associate Professor
  • 1973

    Candidate of Sciences* (PhD)

  • 1968

    Degree
    Moscow Institute of Electronic Engineering, Faculty of Automatics and Computer Engin.

* Candidate of Sciences
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.
* Doctor of Sciences
A post-doctoral degree called Doctor of Sciences is given to reflect second advanced research qualifications or higher doctorates in ISCED 2011.

Awards and Accomplishments

Student Term / Thesis Papers

Full list of of student term / thesis papers

Courses (2018/2019)

Courses (2017/2018)

Courses (2015/2016)

Courses (2014/2015)

Courses (2013/2014)

Courses (2012/2013)

Editorial board membership

  • 2011: Member of the Editorial Board, Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы.

  • 1994: Member of the Editorial Board, Известия высших учебных заведений. Электроника.

  • 1994: Member of the Editorial Board, Нано- и микросистемная техника.

Conferences

  • 2016

    The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Presentation: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм

  • 2015

    The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Presentation: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography

  • VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Presentation: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography

  • Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium (SEMI-THERM 2015) (San Jose). Presentation: Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Presentation: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Presentation: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 (Paris). Presentation: High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures

  • XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Presentation: Приборно-технологическое моделирование 45нм High-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения
  • XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Presentation: Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
  • 2014

    The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Presentation: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Publications

20183

201717

201616

201522

201410

201316

201218

20118

20109

20093

20082


20072

Timetable for today

Full timetable

MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016

On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.

Konstantin Petrosyants Spoke at IEEE Latin American Test Symposium

On April 6th-9 th , the IEEE Latin American Test Symposium was held under the auspices of the Institute of Electrical and Electronics Engineers in the city of Foz do Iguaçu, Brazil.