Konstantin O. Petrosyants

2023¹

2022⁶

• Chapter K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
• Article Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D. Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling // Micromachines. 2022. Vol. 13. No. 8. Article 1293. doi
• Article K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov. Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 8. P. 644-648. doi
• Article K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Li B., Zhang X. TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 7. P. 545-551. doi
• Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi

2021⁹

• Article Wang Y., Liu F., Li B., Li B., Huang Y., Yang C., Zhang J., Wang G., Luo J., Han Z., Petrosyants K. O. Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2021. Vol. 68. No. 8. P. 1660-1667. doi
• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
• Chapter Петросянц К. О. TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 112-116. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Pugachev A., Kharitonov I. A., Dymov D. TCAD-model of betavoltaic battery with vertical micro trenches structure, in: Proceedings of 9-th European conference on renewable energy systems (ECRES 2021), 21-23 April 2021, Istanbul , Turkey Vol. 1. Ankara, Turkey: , 2021. P. 481-483.
• Article Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Ли Б., Чжан С. TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 5. С. 374-386. doi
• Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
• Chapter Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 120-123. doi
• Chapter Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 286-288. doi
• Chapter Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021) Вып. 4. М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6. doi

2020¹²

• Article Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
• Article Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Simulation of Integrated Circuit Systems in Packages // Energies. 2020. Vol. 13. No. 12. P. 1-17. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Simulation of Multi-Chip Stack Embedding Package, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 1-7. doi
• Chapter Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
• Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Popov D. Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers, in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). San Jose, CA USA: IEEE, 2020. P. 56-60. doi
• Chapter K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
• Chapter Petrosyants K., D.A. Popov, Li B., Wang Y. TCAD-SPICE Investigation of SEU Sensitivity for SOI and DSOI CMOS SRAM Cells in Temperature Range up to 300 °C, in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15. P. 31-34.
• Article K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
• Chapter Петросянц К. О. Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 35-40. doi
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А. Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули" Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 291-294. doi
• Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397. doi

2019¹⁰

• Chapter Petrosyants K. O., Popov D. Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide, in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Pugachev A., Lvov B. G. I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1353. No. 1. P. 1-7. doi
• Chapter Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology, in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018 Vol. 11022G. SPIE, 2019. P. 1-6. doi
• Article Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D. Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1163. P. 1-6. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Model of Stacked IC-TSV-BGA Package, in: 25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019). Milan : IEEE, 2019. Ch. 8923865. P. 1-4. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi
• Article Petrosyants K. O., Popov D. Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2019. Vol. 48. No. 7. P. 467-469. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Pugachev A. A., Kharitonov I. A. Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries, in: Proceedings of the Seventh European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES2019). Madrid : , 2019. P. 1-7. (in press)
• Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А. Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала // В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия. НИИСИ РАН, 2019. С. 27-28.
• Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184. doi

2018¹⁸

• Chapter Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
• Chapter Petrosyants K. O. Compact Device Models for BiCMOS VLSIs Simulation in the Extended Temperature Range (from -200°C to +300°C), in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018). IEEE, 2018. P. 1-6. doi
• Chapter Petrosyants K.O., Ryabov N.I., Batarueva E.I. Compact SPICE Models of the Standard Layout Fragments in LSI Interconnections, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 580-584. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov, Boris G. Lvov, Ekaterina I. Batarueva Б. Е. Development of Compact SPICE-models of IC Resistive Interconnects with Different Configurations, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 10. P. 1-4. doi
• Article Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
• Chapter Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 760-765.
• Chapter Петросянц К. О. SPICE модели элементов БиКМОП СБИС для сверхнизких температур // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 65-66.
• Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Savchenko E. M., Budyakov A. S. SPICE-model of SiGe HBT Taking into Account Radiation Effects, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4. doi
• Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
• Article Petrosyants K., Popov D., Bykov D. TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7. P. 487-493. doi
• Chapter Petrosyants K., Stukach O. Welcome to the 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-1. doi
• Article Петросянц К. О. Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 402-403. doi
• Article Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 5. С. 521-525. doi
• Article Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 404-405. doi
• Article Лебедев С. В., Петросянц К. О., Стахин В. Г., Харитонов И. А. Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 412-414. doi
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
• Article Петросянц К. О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 42-45. doi
• Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.

2017²⁰

• Chapter Petrosyants K. O., Popov D. 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Safonov S. O., Stakhin V. G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C) // Microelectronics and Reliability. 2017. Vol. 79. P. 416-425. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Prokopenko N. N. Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range, in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2017. doi P. 1-5. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
• Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
• Article Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51. doi
• Article Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В. TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 569-581. doi
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
• Chapter Petrosyants K., M.V. Kozhukhov. TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects, in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base Part Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016. M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
• Chapter Dvornikov O. V., Dziatlau V., Prokopenko N., Petrosyants K., Kozhukhov M., Tchekhovski V. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors, in: 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). IEEE, 2017. doi P. 1-6. doi
• Chapter Петросянц К. О. Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 49-50.
• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
• Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
• Article Петросянц К. О., Батаруева Е. И., Рябов Н. И. РАСЧЕТ ЗАДЕРЖЕК И ПОТЕРЬ НАПРЯЖЕНИЯ В МЕЖСОЕДИНЕНИЯХ БИС С ПОМОЩЬЮ КОМПАКТНОЙ ЭЛЕКТРО-ТЕПЛОВОЙ SPICE-МОДЕЛИ // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2017. № 4 (выпуск 62). С. 89-94. doi
• Chapter Петросянц К. О., Гладышева Е. И., Рябов Н. И. Расчёт задержек в межсоединениях цифровых БИС с учётом электротепловых эффектов // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 51-52.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
• 
  Book Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.

2016¹⁷

• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Lvov B. G. Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model, in: Proceedings of the IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016). NY : The Institute of Electrical and Electronics Engineering, Inc., 2016. P. 117-122. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Nikita I. Ryabov, Kozynko P. A., Boris G. Lvov. Hardware-Software Subsystem for Multilevel Thermal Fault Detection and Analysis of Electronic Components, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-6. doi
• Article Petrosyants K. O., Kozhukhov M. Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2016. Vol. 63. No. 4. P. 2016 -2021. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. Ch. 7491801. P. 1-6. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Gladysheva E. I. Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, in: Proceedings of 24-th Telecommunications Forum. Beograd : IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1-4. doi
• Article Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C), in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254. doi
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
• 
  Book Адонин А. С., Петросянц К. О. Интегральные схемы со структурой КМОП «кремний на сапфире». М. : Химия, 2016. (in press)
• Chapter Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
• Chapter Петросянц К. О. Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 18-19.
• Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС) // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
• Chapter Петросянц К. О. Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов // В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
• Chapter Петросянц К. О. Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.

2015²²

• Chapter Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., Popov A. V. Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography, in: Proceedings of the 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (AITA-2015). Piza : CNR-ISTI, Italy; Fondazione “Giorgio Ronchi”, Firenze, 2015. P. 171-174.
• Chapter Petrosyants K. O., Torgovnikov R. Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD, in: 31-th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium,. San Jose : IEEE, 2015. P. 172-175. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Popov D. High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures, in: 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 Vol. 119. P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176. doi
• Article Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, M. V. Kozhukhov. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. Vol. 1083. P. 185-189. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography, in: Proceedings of The VIII-th International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress 2015. Brno : Brno University of Technology, 2015. P. 127-131.
• Chapter Petrosyants K. O., Rjabov N. Quasi –3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices, in: International Conference on Simulation, Modeling and Mathematical Statistics (SMMS-2015). Lancaster : DEStech Publications,Inc., 2015. P. 252-257.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects, in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308. doi
• Chapter Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov. SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiation, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9-12. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Popov D. TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27-30. doi
• Article Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
• Article К.О. Петросянц, М.В. Кожухов Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 648-651.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
• Chapter Петросянц К. О. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 215-216.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Мокеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C) // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
• Chapter Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.
• Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
• Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 415-423.
• Article Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
• Article Доморацкий Е. П., Петросянц К. О. Устройство регистрации импульсных микроизображений. Патент на изобретение № 2551895 // Бюллетень изобретений. Заявка рег. № 2014116106 от 23.04.2014. 2015
• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Олухов В. Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.

2014¹⁰

• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194. doi
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components // International Journal of Advancements in Electronics and Electrical Engineering. 2014. Vol. 3. No. 2. P. 22-27.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. The System for Thermal Control of Electronic Components, in: Proccedings of the International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), 08-09 March, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia. , 2014. P. 150-154.
• Chapter Tikhonov А. N., Lvov B. G., Petrosyants K. O., Uvaysov S. U., Kharitonov I. A., Balakin Staniclav, Chetyrkin A., Krutikov V.N. The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link, in: Proceedings of the Tenth Workshop on Microelectronics Education (EWME 2014 ) Vol. 1. Tallinn : Tallinn University of Technology, 2014. Ch. S04-02. P. S04-02-0027-S04-02-0035.
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
• Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 23-26.
• Article Доморацкий Е. П., Петросянц К. О. Телевизионный датчик импульсных микроизображений // Датчики и системы. 2014. № 4. С. 19-24.
• Article Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Харитонов И. А. Электротепловое проектирование «разумных» мощных микросхем с использованием системы Mentor Graphics // Силовая электроника. 2014. № 4. С. 42-48.

2013¹⁶

• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems, in: Proceedings 16th Euromicro Conference on Digital System Design DSD 2013 Proceedings of the 16th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD 2013) Santander, Spain. Santander : IEEE Computer Society, 2013. P. 479-482.
• Chapter Petrosyants K. O., Kortunov A. V., Kharitonov I. A., Попов А. А., Гоманилова Н. Б., Rjabov N. Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 308-311.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
• Chapter Petrosyants K., Kharitonov I. A., Kozynko P., Popov A. Electronic components thermal regimes investigation by IR thermography, in: Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. Turin : Politecnico di Torino, 2013. P. 185-189.
• Article Petrosyants K. O., Popov A. A. Experimental investigation of temperature-current rise in fine PCB copper traces on polyimide, aluminium and ceramic (Al2O3) substrates // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 739. P. 155-160. doi
• Article Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755. doi
• Chapter Петросянц К. О., Кожухов М. В. SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320-326.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects, in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36.
• Article К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6. С. 85-87.
• Chapter К. О. Петросянц, Смирнов Д. С., М. В. Кожухов Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 239-242.
• Chapter Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М. Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274-276.
• Chapter К. О. Петросянц Моделирование тепловых режимов электронных компонентов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 229-232.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302.
• Article Петросянц К. О., Попов Д. А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

2012¹⁸

• Chapter Petrosyants K. O., Rjabov N. Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 541-544.
• Chapter Petrosyants K., Kozynko P., Kharitonov I. A., Sidorov A., Chichkanov Y. New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 289-292.
• Chapter Petrosyants K., Rjabov N. Quasi – 3D Approach for BGA Package Thermal Modeling, in: Collection of papers presented at the 18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems / Отв. ред.: P. E. Raad, A. Poppe.; Ed. by M. Rencz, B. Courtois. Budapest : EDA Publishing Association, 2012. P. 158-161.
• Chapter Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116-121.
• Chapter Petrosyants K. O., Kozhukhov M. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
• Chapter Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs, in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
• Article K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, Popov D. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418.
• Chapter Петросянц К. О., Грязнов Е. Г., Мансуров А. Н. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 608-611.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
• Article Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
• Chapter Петросянц К. О., Торговников Р. А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учетом эффекта саморазогрева // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 267-273.
• Chapter Петросянц К. О., Рябов Н. И. Оценка эффективности теплоотвода BGA корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 206-210.
• Chapter Петросянц К. О. Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения // В кн.: Менеджмент качества и менеджмент информационных систем (MQ&ISM-2012). Материалы международной конференции / Под общ. ред.: В. Н. Азаров. М. : Фонд «Качество», 2012. С. 31-35.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Адонин А. С., Сидоров А. В., Александров А. В. Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 187-192.
• Chapter Быков Д. В., Кечиев Л. Н., Львов Б. Г., Петросянц К. О. ФГБОУ ВПО "Московский государственный институт электроники и математики" // В кн.: История отечественной электроники Т. 2. М. : ЗАО "Издательский дом "Столичная энциклопедия", 2012. С. 506-521.

2011⁸

• Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
• Chapter Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
• Chapter Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
• Chapter Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
• Chapter Petrosyants K., Rjabov N. Temperature Sensors Modeling for Smart Power IC, in: Proceedings of 27-th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, San Jose, USA, March 2011. San Jose : IEEE Components, Packaging and Manufacturing Technology Society, 2011. P. 161-165.
• Chapter Petrosyants K., Rjabov N. Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275-278.
• Article Петросянц К. О., Торговников Р. А. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.
• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

2010⁹

• Article Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.
• Chapter Bykov D., Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Microelectronics education at MIEM: from materials to system on chip/board, in: Proceedings of the 8th European Workshop on Microelectronics Education, Darmstadt, Germany, 10-12 May 2010. Darmstadt : -, 2010. P. 39-44.
• Chapter Petrosyants K. O., Kozynko P., Kharitonov I. A., Rjabov N. Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 330-333.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
• Chapter Петросянц К. О., Рябов Н. И. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2010. С. 80-85.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.
• Chapter Петросянц К. О., Торговников Р. А. Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
• Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
• Article Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

2009³

• Chapter Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A., Kozynko P. Electro-thermal simulation: a new Subsystem in Mentor Graphics IC Design Flow, in: Collection of Papers Presented at the 15th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2009) / Ed. by B. Courtois, M. Rencz, T. Baelmans, B. Vandevelde, T. Persoons. Leuven : EDA Publishing Association, 2009. P. 70-74.
• Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N., Kozynko P. Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250.
• Article Петросянц К. О., Ширабайкин Д. Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3(77). С. 87-89.

2008²

• Chapter Petrosyants K. O., Kozynko P. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Collection of Papers Presented at the 14th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2008) / Ed. by B. Courtois, M. Rencz, C. Lasance, V. Székely. Rome : EDA Publishing Association, 2008. P. 76-79.
• Chapter Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2008. Сборник научных трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2008. С. 243-246.

2007²

• Chapter Petrosyants K. O., Kozynko P. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'07). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2007. P. 599-602.
• Article Петросянц К. О., Козынко П. А. Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.