Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Россия была представлена докладами специалистов из НИЯУ МИФИ и МИЭМ НИУ ВШЭ.
МИЭМ НИУ ВШЭ представил 3 доклада:
- K. O. Petrosyants, M. V. Kozhukhov, General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation;
- K. O. Petrosyants, D. A. Popov, 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects;
- K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, M. V. Kozhukhov, L. M. Sambursky, M. R. Ismail-Zade, An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators,
которые сделали сотрудники МИЭМ НИУ ВШЭ – ординарный профессор К.О. Петросянц (2 доклада) и ассистент Д.А. Попов.
Доклады вызвали большой интерес. С китайской стороны поступили предложения о совместном научном сотрудничестве.
На фото профессор К. О. Петросянц с «классиком» в области радиационной стойкости полупроводниковых приборов, профессором Даном Флитвудом, руководителем департамента Электроники и вычислительной техники Вандербильдского университета г. Нешвиль (США), главным редактором журнала IEEE Transaction on Nuclear Science.
На фото профессор К. О. Петросянц с председателем Оргкомитета конференции, директором института микроэлектроники Академии наук КНР Джиншуном Би.