• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-95-90
15214
Адрес: Таллинская ул., д. 34, каб. 325
Время консультаций: среда 16-00 - 18 - 00, четверг 16-00 - 18 - 00. https://meet.miem.hse.ru/314
SPIN РИНЦ: 9459-8550
ORCID: 0000-0002-5319-9653
ResearcherID: H-7856-2015
Scopus AuthorID: 6506760480
Google Scholar
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Рябов Никита Иванович

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 47 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 2004
    Ученое звание: Доцент
  • 1986
    Кандидат технических наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»
  • 1982

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: факультет Прикладной математики, специальность «Прикладная математика», квалификация «инженер-математик»

  • 1976

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: Автоматики и вычислительной техники, специальность «Электронные вычислительные машины», квалификация «инженер-электрик»

Достижения и поощрения

Благодарность МИЭМ НИУ ВШЭ (апрель 2022)

Учебные курсы (2022/2023 уч. год)

Учебные курсы (2021/2022 уч. год)

Проекты

ПСГ — Cофинансирование грантов РФФИ и РГНФ

Конференции

  • 2017

    XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов

  • The Sixth China-Russia Conference on Numerical Algebra with Applications (CRCNAA 2017) (Москва). Доклад: Quasi – 3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices
  • 2015

    22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева

  • I Международный симпозиум «Компьютерные измерительные технологии» (Москва). Доклад: Оценка погрешности при измерении времен задержки в межсоединениях

  • Современное состояние и перспективы развития технических наук. Доклад: Исследование влияния неравномерного нагрева на паразитные эффекты в межсоединениях БИС

  • Актуальные проблемы технических наук в России и за рубежом. Доклад: The simulation of delays in IC interconnects considering temperature effects

  • 22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева
  • 22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева

  • 2014

    The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Публикации30

Участие в выполнении грантов, научных контрактов и договоров

                       2014

- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия -  участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия -  участник работы.
 

                           2013

- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участия -  участник работы.

.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий  микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участия -  участник работы
 

- Грант РФФИ "Исследование и разработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Форма участия -  участник работы.

- НИР  «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Форма участия -  участник работы.

 

                             2012

- НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России».  Форма участия -  участник работы

- НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем»,  гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Форма участия -  руководитель  работы

- НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей»,  грант РФФИ РАН, проект № 10-07-00689-а гос. бюджет (3-ой этап). Форма участия - руководитель работы

- НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Форма участия -  участник работы

Участие в конференциях

III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонат:

- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

"Пульсар-2015" XIV Научно-техническая конференция "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" Москва, 7-9 октября 2015 г. Форма участия - выступление с докладом "Моделирование задержек в межсоединениях ИС с учетом температурных эффектов", соавтор: Е.И. Гладышева.

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия-  соавтор заказного доклада: Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: К.О. Петросянц, П.А. Козынко, И.А. Харитонов.

International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), March 08-09, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia.

 

IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Rostov-on-Don, Rus-sia, September 27 – 30, 2013

 

IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov, Ukraine, September 14 – 17, 2012.

 

18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems. Budapest, Hungary, September 25-27, 2012.

 

Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. XI научно-техническая конференция, Дубна, 17-19 октября 2012 г.

Опыт работы

Я окончил Московский государственный институт электроники и математики в 1976 году.

В МИЭМ работаю с 1995 года, сначала - cтаршим  преподавателем, а с 1997 - доцентом кафедры “Электроники и электротехники”.

            Читал курсы лекций по следующим дисциплинам: Моделирование оборудования и технологических процессов. ФЭТ, специалисты. 4 курс, 210107.65; Электротехника и электроника. ФЭТ, бакалавриат, 2 курс, 211000.62; Электротехника. ФЭТ, бакалавриат, 2 курс, 222900.62; Методы математического моделирования. ФЭТ, магистратура, 1 курс, 210100 Инжиниринг в электронике, «Основы цифровой обработки сигналов», «Микропроцессорные системы» - на факультете АВТ МИЭМ в группах С-56, С-76, С-86, Моделирование оборудования и технологических процессов. ФЭТ, специалисты. 4 курс, руководил вычислительной практикой на 2м курсе.

            В последние годы веду курсы Теория электрических цепей, специальность Инфокоммуникационные технологии и системы связи, 2й курс, Электротехника, электроника и метрология, часть 1 – электротехника, специальность Информатика и вычислительная техника, 2й курс. В этих кусах читаю лекции, веду практические и лабораторные занятия, осуществляю прием домашних работ.


Информация*

  • Общий стаж: 47 лет
  • Научно-педагогический стаж: 47 лет
  • Преподавательский стаж: 28 лет
Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

25-й Международный симпозиум по тепловым исследованиям ИС и систем ‑ THERMINIC 2019

В трехдневном мероприятии, состоявшемся в Лекко, Италия, приняли участие более 120 делегатов конференции из 23 стран с широким кругом специалистов в области развития технологий и управления промышленностью, в том числе из МИЭМ НИУ ВШЭ.

Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.