Колбатова Анна Игоревна
- Доцент:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начала работать в НИУ ВШЭ в 2019 году.
- Научно-педагогический стаж: 10 лет.
Образование
- 2009
Специалитет: Вятский государственный гуманитарный университет, специальность «Физика с дополнительной специальностью информатика», квалификация «Учитель физики и информатики»
2016, диплом кандидата физико-математических наук, Институт физики твердого тела РАН
Достижения и поощрения
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2020-2021)
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Публикации5
- Статья Baeva E., Maria D. Soldatenkova, Золотов Ф. И., Titova N., Alexandra D. Triznova, Lomakin A., Anna I. Kolbatova, Goltsman G. Thermal Relaxation in NbN Films on Crystalline Substrates // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 2022. Vol. 32. No. 4. Article 7500505. doi
- Статья Goltsman G., Kardakova A., Baeva E., Lomakin A., Titova N., Samsonova A., Zolotov P. Signatures of Surface Magnetic Disorder in Niobium Films // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 2021. Vol. 31. No. 5. P. 1-4. doi (в печати)
- Статья Baeva E., Titova N., Veyrat L., Sacépé B., Semenov A. V., Goltsman G., Kardakova A., Khrapai V. Thermal Relaxation in Metal Films Limited by Diffuson Lattice Excitations of Amorphous Substrates // Physical Review Applied. 2021. Vol. 15. No. 5. Article 054014. doi
- Статья Saveskul N. A., Titova N., Baeva E., Semenov A. V., Lubenchenko A. V., Saha S., Reddy H., Bogdanov S., Marinero E. E., Shalaev V., Boltasseva A., Khrapai V., Kardakova A., Goltsman G. Superconductivity in epitaxial TiN films points to surface magnetic disorder // Physical Review Applied. 2019. Vol. 12. No. 5. P. 1-10. doi
- Статья Shurakov A., Mikhalev P., Mikhailov D., Mityashkin V., Tretyakov I., Kardakova A., Belikov I., Kaurova N., Voronov B., Vasil'evskii I., Goltsman G. Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer // Microelectronic Engineering. 2018. Vol. 195. No. 5. P. 26-31. doi
Гранты
РФФИ, Перспектива 19-32-60076 «Исследование влияния магнитного беспорядка на транспортные и сверхпроводящие свойства тонких эпитаксиальных пленок переходных металлов»
Опыт работы
|
2009 - 2014 |
Технолог, ОАО «Сконтел» |
|
2009 - 2016 |
Младший научный сотрудник, Учебно-радиофизический центр, Московский педагогический государственный университет
|
|
2012 (2 месяца) |
Visiting Research Fellow, School of Physics and Astronomy, Cardiff University |
|
2014 – наст. время |
Старший преподаватель, Кафедра общей и экспериментальной физики, Московский Педагогический Государственный Университет |
|
2016 – наст. время |
Научный сотрудник, Лаборатория квантовых детекторов, Московский Педагогический Государственный Университет |
|
2019 – наст. время |
Научный сотрудник, МИЭМ ВШЭ |