• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
61436
Адрес: г. Санкт-Петербург, Кантемировская ул., д. 3, корп. 1, лит. А, каб. 4.3
Время присутствия: Пн. 14.00-16.00
ORCID: 0000-0000-0000-0000
ResearcherID: C-1177-2014
Scopus AuthorID: 57197019930
Руководитель
Мухин М. С.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Иванов Сергей Викторович

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 2012
    Ученое звание: Профессор
  • 2000
    Доктор физико-математических наук
  • 1983

    Специалитет: Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Оптико-электронные приборы», квалификация «Инженер-электрик»

Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки

«Возможности электронной информационно-образовательной среды университета. Электронное обучение, ЭБС и ИКТ в управлении образовательным процессом» – 2020 г.

Учебные курсы (2021/2022 уч. год)

Публикации63

Конференции

1. 20th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018), Shanghai, China
«PA MBE grown GaN/AlN multilayer quantum platelets for highefficiency electron-beam-pumped
235 nm emitters», 02-09-2018
2. XXII Межд. Симп. "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, Россия
«Метаморфные наногетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs для эффективных излучателей среднего ИК диапазона», 12-03-2018
3. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Новосибирск, Россия
«Фотоника среднего УФ-диапазона на основе AlGaN наногетероструктур», 21-05-2019
4. International Conference Laser Optics ICLO 2020
«Lasers and Zhores Alferov’s heterostructures: past, current, and future», 02-11-2020
5. 11-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
«Полупроводниковая оптоэлектроника в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в XX и XXI веке», 28-10-2020

Участие в редколлегиях научных журналов

С 2015 г.: член редколлегии журнала «Superlattices and Microstructures».

Гранты

1. РФФИ, 18-02-09950, "Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства метаморфных
наногетероструктур с квантовыми ямами InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для
эффективных источников излучения среднего ИК диапазона", 01-01-2018
2. РФФИ, 17-52-80089, БРИКС_а, "Новые принципы и технологии формирования экстремальных 2D и 0D наногетероструктур AlGaInN для высокоэффективных источников спонтанного и лазерного излучения среднего и глубокого ультрафиолетового диапазона", 01-03-2017
3. РНФ, 14-22-00107, Излучатели когерентного и квантового света для информационноемкой  полупроводниковой нанофотоники, 30-07-2014
4. РНФ,19-72-30040, Многофункциональная полупроводниковая фотоника на основе (Al,Ga)N гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии


Опыт работы

Советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. С 2018 года являюсь директором Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге, где до этого был руководителем группы молекулярно-пучковой эпитаксии.

По совместительству, с 2004 года преподаю в двух вузах Санкт-Петербурга: студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым (профессор кафедры физики и технологии наноструктур), и Санкт-Петербургского электротехнического университетета (профессор кафедры “Микроэлектроника” факультета электроники). С 2020 - студентам НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург (заведующий базовой кафедрой ФТИ им. А.Ф. Иоффе). 

Являюсь членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», вхожу в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, являюсь экспертом РФФИ и РНФ, членом редколлегии журнала “Superlattices and Microstructures”.

Сергей Викторович Иванов избран членом-корреспондентом РАН

С 1 по 3 июня в Москве проходило общее собрание Российской академии наук, на котором выбирали новых членов. Заведующий базовой кафедрой ФТИ им. А. Ф. Иоффе Сергей Викторович Иванов пополнил ряды членов-корреспондентов по отделению физических наук.

Сотрудники НИУ ВШЭ избраны академиками и членами-корреспондентами РАН

Итоги выборов были подведены на общем собрании Российской академии наук, которое проходит с 1 по 3 июня. Среди новых академиков и членов-корреспондентов РАН — восемь сотрудников Вышки.

Экспертный совет премии им. Алфёрова определил претендента на победу

7 апреля в Питерской Вышке состоялось заседание экспертного совета по присуждению премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации «Нанотехнологии» — премии им. Ж.И. Алфёрова.