Харитонов Игорь Анатольевич

Профессор:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии

Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
Научно-педагогический стаж: 36 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

2002
Ученое звание: Доцент
1998
Кандидат технических наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС
1985
Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Конструирование и производство электро-вычислительной аппаратуры», квалификация «Инженер-конструктор- технолог ЭВМ»
1985
Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Профессиональные интересы

Схемотехничсекое моделирование электронных компонентов с учетом влияния радаиации и температуры

Достижения и поощрения

Почётная грамота Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ (апрель 2022)
Почетная грамота НИУ ВШЭ (март 2022)
Благодарность проректора НИУ ВШЭ (октябрь 2018)
Лучший преподаватель – 2018, 2017, 2016
Надбавка за академическую работу (2017-2018, 2016-2017)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018-2019)

Конференции

2018
XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
2017
XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
2016
The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
2015
EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
2014
The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Участие в конференциях и выставках

2018 год

17-ая Российская научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА», c 14 по 18 мая 2018 года, г. Суздаль. Форма участия - представил доклад:

1. Учет эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчетов радиационно стойких КМОП БИС .

14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», которые проводятся ежегодно в соответствии с распоряжением Правительства Российской Федерации от 5 апреля 2014 г. № 541-р, и приурочены к Всемирному Дню метрологии – 20 мая. Представил экспонат «Аппаратно-программный комплекс для измерение электрических характеристик и определения параметров SPICE моделей электронных компонентов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию температуры и радиации», подготовленным Департаментом электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ (соавторы: Петросянц К.О., Львов Б.Г., Самбурский Л.М., Попов Д.А., Исмаил-Заде М.Р.).

Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2018 г., проводил ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - представил доклад: «Отечественная библиотека МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов , Л. М. Самбурский, Д.А. Попов, М.Р. Исмаил-Заде,

2017 год

Международный Форум «Микроэлектроника 2017», 3-я Международная конференция «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули», 2 -7 октября 2017 г. , г. Алушта (Республика Крым). Форма участия - представил доклады:

1. Петросянц К. О., Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г., Особенность моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС

XV-ая научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 27-29 сентября 2017 г., г. Москва – Дубна. Форма участия - представил доклады:

- "Учет радиационно-индуцированных токов утечки при высоких температурах в SPICE модели КНИ МОПТ ",

- "TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПт при повышенных температурах", соавторы: Петросянц К.О., Попов Д.А..

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017, 18 -23 июля 2017, г. Жуковский (Моск. обл.) (https://www.aviasalon.com/). «МАКС» является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов. Форма участия - Представил экспонат «Программно-аппаратный комплекс для исследования электронной компонентной базы для аэро-космических применений» (раздел «Вузовская наука и авиационно-техническое творчество молодежи».). Соавторы: Петросянц К.О., Львов Б.Г., Самбурский Л.М., Попов Д.А., Исмаил-Заде М.Р., Кожухов М.В., Балакин С.В., Кофанов Ю.Н., Манохин А.И., Мелех Н.А.).

Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», с 20 по 23 июня 2016 г., г. Новосибирск, МВК «Новосибирск Экспоцентр» . Форма учасття - представил экспонат «Аппаратно-программный комплекс для измерения и параметризации компонентов экстремальной электроники для гражданского и специального применений.» (соавторы: К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде и др.).

16-ая Российская научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА», c 3 по 7 июля 2017 года, г. Суздаль. Форма участия - представил доклады:

- "ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ SPICE-МОДЕЛЕЙ КНИ МОПТ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ (ДО МИНУС 200°C)" (соавторы: И.А. Четвериков, Е.Ю. Кузин),

- "ПОДСИСТЕМА СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ КМОП БИС
С УЧЁТОМ СОВМЕСТНОГО ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ И ТЕПЛОВЫХ ЭФФЕКТОВ"

Крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». 13 - 17 марта 2017, США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины».Форма участия - соавтор доклада: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C», соавторы Петросянц К.О., Самбурский Л.М. , Стахин В.Г., Лебедев С.В., Исмал-Заде М.Р., Игнатов П.

Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2017 г., проводил ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - представил доклад: «Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов , Л. М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев)

2016 год

24-ой Международный форум по телекоммуникациям (24-th Telecommunications Forum, TEFOR 2106). Белград, Сербия, 22-23 ноября 2016 г. Форма участия - представил доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, Соавторы: К.О. Петросянц, Е.И. Батаруева

Международная конференция 22-nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). Будапешт, Венгрия, 21-23 сентября 2016. Форма участия- соавтор доклада "Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)". Авторы:Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A.

Международный форум «Микроэлектроника 2016», г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября 2016 г. 2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули». Форма участия - представил доклад: "Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм". Авторы: Петросянц К.О., Харитонов, И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Лебедев С. В., Стахин В. Г. (Зеленоградский нанотехнологичечский Центр).

Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем», проводимая ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино, 7-8 июня 2016. Форма участия - представил стендовые доклады: 1) "Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»); 2) Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300оС)", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов , В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)

Международная конференция The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016), 6.04.2016 - 8.04.2016, Бразилия, Фос-ду-Игиасу. Форма участия - cоавтор доклада. Доклад "Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model". Соавторы: Петросянц К.О, Львов Б.Г., Самбурский Л.М.

2015 год

III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонаты:

- Система целевой подготовки и переподготовки инженерных кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей;

- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

- Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress. Meeting of NDT Experts», 12 -14 октября 2015 г., Чехия, г. Прага . Форма участия- соавтор доклада на тему «Неразрушающий тестирование перегрева электронных компонентов методами инфракрасной термографии» («Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography»). Докладчик - соавтор, профессор НИУ ВШЭ Петросянц К.О.

Международная конференция "Science in the modern information society IV" 13.07.2015 - 14.07.2015 США, North Charleston. Форма участия: докладчик. Доклад "Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process" .

Международная специализированная выставка «Импортозамещение—2015», МВЦ «Крокус-ЭКСПО», 14 - 17 сентября 2015 г. Форма участия- соавтор доклада от МИЭМ НИУ ВШЭ на тему «Система целевой подготовки и переподготовки кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей». Соавторы - Тихонов А. Н., Абрамешин А. Е., Львов Б. Г., Петросянц К.О., Увайсов С. У., (все МИЭМ НИУ ВШЭ), Балакин С. В. (РКК «Энергия» им. С. П. Королёва), Крутиков В. Н. (ВНИИОФИ), Казанский А. Г. (НИИСУ), Четыркин А. Н. (НИИКП).

ХIV научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, ОАО НПП «Пульсар», 7-9 октября 2015 года .Форма участия- доклад на тему "Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов", соавторы К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, В.М. Олухов. Соавтор доклада "Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)". Авторы К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- Соавтор доклада : Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: К.О. Петросянц, П.А. Козынко, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С). Соавторы: С. В. Лебедев, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, К.О. Петросянц

Крупнейшая международная конференция по методам и применениям инфракрасной термографии (The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications). Охватывает широкий круг вопросов, касающихся методов и областей применения термографии: аппаратура для термографии, методы термографии, обработка тепловизионных изображений, области примененния термографии от материалов до зданий, здоровья людей, астрономии. Пиза, Италия, 29.09.2015 - 2.10.2015. Форма участия- доклад на тему "Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography" (Анализ нагрева проводников современных печатных плат протекающим токов с помощью средств термографии). Соавторы: К.О. Петросянц, А.А. Попов

Крупнейшая международная Европейская конференция по радиационной стойкости «Radiation Effects on Components and Systems» (RADECS 2015), 14-18 сентября 2015 г. Москва. Посвящена представлению и обсуждению последних достижений в области радаиационных эффектов в электронных и фотоэлектронных материалах, приборах, схемах, сенсорах, системах. Форма участи - соавтор доклада "Rad-hard versions of spice MOSFET models for effective simulation of SOI/SOS CMOS circuits taking into account radiation effects". Соавторы K. O. Petrosyants, L.M. Sambursky, A.S. Mokeev

Ежегодная 18-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2015» (г. Лыткарино), 2-3 июня 2015 г. Конференция прошла в соответствии с Планом проведения научно-технических мероприятий Госкорпорации «Росатом». Ее провдил ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов». Форма участия: докладчик. Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик. Соавторы: К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский,

Joint IEEE International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon , EUROSOI-ULIS- 2015, 2015 Bologna, Italy, 26.01.2015 - 28.01.2015 Соавтор доклада "SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L.M. Sambursky

15-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 25.02.2015 - 26.02.2015 Российская Федерация, Нижний Новгород. Форма участия: докладчик. Доклад: Универсальная SPICE модель КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе платформ BSIM-SOI и EKV-SOI. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский

2014 год

11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника».25-27 ноября 2014, Крокус Экспо, " Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации", "Исследование тепловых полей в мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки". Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и И.А. Харитонова.
И.А. Харитонов - руководитель команды студентов и аспирантов на выставке.

XI Международная научно-практическая конференция «ИННОВАЦИИ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ И КОММУНИКАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» (ИНФО-2014) 1.10.2014 - 10.10.2014 Российская Федерация, Сочи. Соавтор доклада "Подсистема проектирования интегральных схем с учетом действия фактров температуры и радиации доклада на конференции". Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.

1-й Всероссийский форум технологического лидерства России "ТЕХНОДОКТРИНА-2014", 6.11.2014 - 7.11.2014 Российская Федерация, Москва. Соавтор доклада "Система целевой подготовки специалистов в области электроники для аэрокосмической отрасли, построенная на базе научно-образовательных модулей «вуз-предприятие»". А.Н. Тихонов, Б.Г. Львов, К.О. Петросянц, С.У. Увайсов, И.А. Харитонов , С.В. Балакин, А.Н. Четыркин, В.Н. Крутиков

10th European Workshop on Microelectronics Education, 14.05.2014 - 16.05.2014 Эстония, Таллин, соавтор доклада "The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link", A.N. Tikhonov, B.G. Lvov, K.O. Petrosyants, S.U. Uvaysov, I.A. Kharitonov, V. Balakin, A.N., Chetyrkin, V.N. Krutikov

III Международная научно-практическая конференция Innovative Information Technologies, 21.04.2014 - 25.04.2014, Чехия, Прага. Соавтор доклада "EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE". K.O. Petrosyants, I.A. Kharitonov, M.V. Kozhukhov, L.M. Sambursky

The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering, 8.03.2014 - 9.03.2014 Малайзия, Куалу-Лумпир. Соавтор доклада, докладчик. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components. K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov,

14-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2014 - 28.02.2014 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик. Доклад: Моделирование элементов БиКМОП БИС с учетом радиационных эффектов. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.В. Кожухов

2013 год
10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013, Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:
1)База данных по характеристикам и параметрам моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2)Исследование тепловых характеристик преобразователей напряжения с помощью ИК тепловизионной установки
Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и И.А. Харитонова.
И.А. Харитонов - руководитель команды студентов и аспирантов на выставке.

12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. 10.09.2013 - 13.09.2013 Италия, Туриню Соавтор доклада "ELECTRONIC COMPONENTS THERMAL REGIMES INVESTIGATION BY IR THERMOGRAPHY". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, A. A. Popov,

Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры", авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М.

Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г. Santander, Испания с 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- стендовый доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems", соавтор - К.О. Петросянц.

Техническое совещание «Проблемы математического моделирования РЭА на этапах её разработки», ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова», 22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - доклад на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Петросянц К. О., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов.

Летняя многопрофильная школа ВШЭ, 14 июля - 21 июля 2013 года, подмосковный дом отдыха Колонтаево . Форма участия - мастер класс «Применение тепловизоров в жизни людей». Помощник- аспирант Кортунов А.В.

II Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага,22–26 апреля.
Форма участия - докладчик. Тема доклада: ""ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы Петросянц К.О., Попов Д. А. Получен сертификат участника.

Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г. Форма участия - доклад на тему «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects». Соавторы ПЕтросянц К.О., Самбурский Л.М.

13-ий научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2013 - 28.02.2013 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: участник, соавтор доклада Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС

2012 год
12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Библиографические карточки доклада на конференции:
Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий

Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012"
18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области
форма участия: участник

«ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012»
26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль
форма участия: докладчик
Доклады на конференции:
1) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ
2) Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM – EWDTS’12
14.09.2012 - 17.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады на конференции:
1) New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
2) Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV RAD macromodel

Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем
11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва
форма участия: участник

Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)
14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады:
1. New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
2. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо»
В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ
были представлены два экспоната :
1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.
К.О. Петросянц и И.А. Харитонов - руководители выставленных работ.

Публикации¹⁰⁸

Статья Харитонов И. А., Кофанов Ю. Н., Тегин М. С. Cквозное электротепловое моделирование мощных электронных схем на печатных платах с помощью программных средств Comsol, SPICE, «Асоника-ТМ» // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 189-196. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Тегин М. С. Multi-level electro-thermal simulation of power PCB electronic modules for motor driving, in: WSEAS Transactions on Circuits and Systems Vol. 22: Volume 22, 2023, Art. #14. WSEAS Press, 2023. doi P. 126-134. doi
Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А., Переверзев Л. Е., Морозов А. А., Тургенев П. В. Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2023. Т. 28. № 6. С. 826-837. doi
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi
Глава книги Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov, Michael Tegin, Evelina Silchenko, Konstantin Ivlev, Dmytry Loktionov. Extension of the Capabilities of SPICE Analysis Tools for Electro-Thermal Simulation of Power Electronic Circuits, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-5. doi
Статья Харитонов И.А., Белопашенцев А.С. Влияние эффектов старения на электрические характеристики интегральных КМОП ОУ при уменьшении минимальных размеров транзисторов // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 195-200. doi
Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Pugachev A., Kharitonov I. A., Dymov D. TCAD-model of betavoltaic battery with vertical micro trenches structure, in: Proceedings of 9-th European conference on renewable energy systems (ECRES 2021), 21-23 April 2021, Istanbul , Turkey Vol. 1. Ankara, Turkey: , 2021. P. 481-483.
Глава книги Харитонов И. А. Расширение возможностей SPICE-подобных программ за счет учета эффектов старения в МОП схемах, обусловленных эффектами горячих носителей, пробоя диэлектрика и электромиграции // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021) Вып. 2. ИППМ РАН, 2021. С. 73-80. doi
Глава книги Харитонов И. А. SPICE модели МОПТ, учитывающие эффекты старения // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули" Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 300-307. doi
Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
Глава книги Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 232-235. doi
Глава книги Харитонов И. А., Куликов Н. А., Звягинцев Д. В. Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения // В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Лыткарино МО : АО "НИИП", 2020. Гл. 2. С. 10-16.
Статья Харитонов И. А., Попов Д. А., Рахматуллин Б. А. Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 379-385. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А. Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули" Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 291-294. doi
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Pugachev A., Lvov B. G. I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1353. No. 1. P. 1-7. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Pugachev A. A., Kharitonov I. A. Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries, in: Proceedings of the Seventh European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES2019). Madrid : , 2019. P. 1-7. (в печати)
Глава книги Kharitonov I. A. Application of electro-thermo-rad models for spice simulation of digital CMOS circuit behavior with account for combined thermal and radiation effects, in: Proceedings of the International Scientific – Practical Conference « INFORMATION INNOVATIVE TECHNOLOGIES» (I2T), 2018. , 2018. P. 475-481.
Глава книги Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
Глава книги Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 760-765.
Глава книги Харитонов И. А. SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 103-110. doi
Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
Статья Лебедев С. В., Петросянц К. О., Стахин В. Г., Харитонов И. А. Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 412-414. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
Глава книги Харитонов И. А. Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 82-83.
Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Safonov S. O., Stakhin V. G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C) // Microelectronics and Reliability. 2017. Vol. 79. P. 416-425. doi
Глава книги Kharitonov I. A. Electro-Thermo-Rad SPICE models for SOI/SOS MOSFETs, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 1-8. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
Статья Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
Статья Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41-45.
Глава книги Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
Глава книги Харитонов И. А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
Книга Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Lvov B. G. Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model, in: Proceedings of the IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016). NY : The Institute of Electrical and Electronics Engineering, Inc., 2016. P. 117-122. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Nikita I. Ryabov, Kozynko P. A., Boris G. Lvov. Hardware-Software Subsystem for Multilevel Thermal Fault Detection and Analysis of Electronic Components, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-6. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Gladysheva E. I. Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, in: Proceedings of 24-th Telecommunications Forum. Beograd : IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1-4. doi
Статья Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C), in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254. doi
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
Глава книги Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
Статья Харитонов И. А., Александрова А. Б. Исследования влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2016. Т. 21. № 3. С. 286-288.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС) // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
Глава книги Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., Popov A. V. Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography, in: Proceedings of the 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (AITA-2015). Piza : CNR-ISTI, Italy; Fondazione “Giorgio Ronchi”, Firenze, 2015. P. 171-174.
Статья Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, M. V. Kozhukhov. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. Vol. 1083. P. 185-189. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography, in: Proceedings of The VIII-th International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress 2015. Brno : Brno University of Technology, 2015. P. 127-131.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects, in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308. doi
Глава книги Kharitonov I. A. SPICE models of MOS FETS on insulating substrate with account for thermal effects, in: Science in the modern information society IV: Proceedings of the Conference Vol. 2. North Charleston : CreateSpace, 2015. P. 119-121.
Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Мокеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C) // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.
Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Олухов В. Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components // International Journal of Advancements in Electronics and Electrical Engineering. 2014. Vol. 3. No. 2. P. 22-27.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. The System for Thermal Control of Electronic Components, in: Proccedings of the International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), 08-09 March, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia. , 2014. P. 150-154.
Глава книги Tikhonov А. N., Lvov B. G., Petrosyants K. O., Uvaysov S. U., Kharitonov I. A., Balakin Staniclav, Chetyrkin A., Krutikov V.N. The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link, in: Proceedings of the Tenth Workshop on Microelectronics Education (EWME 2014 ) Vol. 1. Tallinn : Tallinn University of Technology, 2014. Ch. S04-02. P. S04-02-0027-S04-02-0035.
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.
Глава книги Попов Д. А., Харитонов И. А. Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
Статья Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Харитонов И. А. Электротепловое проектирование «разумных» мощных микросхем с использованием системы Mentor Graphics // Силовая электроника. 2014. № 4. С. 42-48.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems, in: Proceedings 16th Euromicro Conference on Digital System Design DSD 2013 Proceedings of the 16th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD 2013) Santander, Spain. Santander : IEEE Computer Society, 2013. P. 479-482.
Глава книги Petrosyants K. O., Kortunov A. V., Kharitonov I. A., Попов А. А., Гоманилова Н. Б., Rjabov N. Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 308-311.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
Глава книги Petrosyants K., Kharitonov I. A., Kozynko P., Popov A. Electronic components thermal regimes investigation by IR thermography, in: Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. Turin : Politecnico di Torino, 2013. P. 185-189.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects, in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36.
Глава книги Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М. Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274-276.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302.
Глава книги Petrosyants K., Kozynko P., Kharitonov I. A., Sidorov A., Chichkanov Y. New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 289-292.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Глава книги Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs, in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
Статья K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, Popov D. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Адонин А. С., Сидоров А. В., Александров А. В. Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 187-192.
Глава книги Kharitonov I. A. Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.
Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
Глава книги Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.
Глава книги Bykov D., Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Microelectronics education at MIEM: from materials to system on chip/board, in: Proceedings of the 8th European Workshop on Microelectronics Education, Darmstadt, Germany, 10-12 May 2010. Darmstadt : -, 2010. P. 39-44.
Глава книги Kharitonov I. A. Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.
Глава книги Petrosyants K. O., Kozynko P., Kharitonov I. A., Rjabov N. Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 330-333.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.
Глава книги Харитонов И. А. Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний // В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия / Науч. ред.: В. Н. Афанасьев. Т. 1. Снежинск : РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
Статья Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
Глава книги Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A., Kozynko P. Electro-thermal simulation: a new Subsystem in Mentor Graphics IC Design Flow, in: Collection of Papers Presented at the 15th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2009) / Ed. by B. Courtois, M. Rencz, T. Baelmans, B. Vandevelde, T. Persoons. Leuven : EDA Publishing Association, 2009. P. 70-74.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N., Kozynko P. Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2008. Сборник научных трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2008. С. 243-246.

Опубликованные тезисы докладов

Харитонов И. А. Определение параметров SPICE-моделей с учётом радиационного воздействия // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
I. A. Kharitonov. Device Compact Models for Radiation Hardened IC Design // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011

Участие в грантах, НИР и ОКР

2015

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик . Заказчик- ФГУП «ВНИИА». Ответственный исполнитель работы.

- НИР «Разработка и исследование моделей МОП-КНИ транзисторов с учетом воздействия нейтронов». Заказчик - ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Ответственный исполнитель работы.

2014

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - ответстственный исполнитель.

2013

- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участи - отвественный исполнитель.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участи - отвественный исполнитель.

2012

НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) – Исполнитель
НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Отв. исполнитель

2011

НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Отв. исполнитель
НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - - Исполнитель
НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Отв. исполнитель

Опыт работы

Опыт преподавательской работы в МИЭМ - более 27 лет

с 1993 г. по 1999 г . - старший преподаватель МИЭМ,

с 1999 г. по 2012 г. - профессор МИЭМ,

с 2012 г. по настоящее время- профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

в 2011 г. мне присуждена Ежегодная международная премия им. профессора Э. И. Точицкого за разработку и внедрение курса лабораторных работ по изучению программируемых систем на кристалле (PSoC) фирмы Cypress Semiconductor. Премия была вручена на Международном Форуме по нанотехнологиям Rusnanotech (окт. 2011 г.) М., Конгрессцентр ЦВК «Экспоцентр».

Информация^*

Общий стаж: 39 лет
Научно-педагогический стаж: 36 лет
Преподавательский стаж: 31 год

Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

Расписание занятий на сегодня

Показать архивное расписание
Расписание занятий по физической культуре в спортивных секциях

Полное расписание

мар

2024

Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»

С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.

окт

2022

Ученые МИЭМ приняли участие в Российском Форуме «Микроэлектроника 2022»

От нашего института были представлены четыре доклада

июл

2022

MIEM Holds ‘Electronics, Photonics and the Internet of Things’ Summer School

Over three days, the participants learnt about the main subject areas of the master's programmes of the HSE School of Electronic Engineering. About three dozen undergraduate students and graduates from different Russian universities took part in the summer school. Leading MIEM teachers and visiting lecturers from Russian companies were among those who spoke about promising areas of development in electronics, photonics, quantum technologies and the Internet of Things (IoT).

июл

2022

В МИЭМ прошла летняя школа «Электроника, фотоника и интернет вещей»

В течение трех дней ее участникам были представлены главные предметные области магистерских программ департамента электронной инженерии НИУ ВШЭ. Всего в работе летней школы приняли участие около трех десятков студентов и выпускников бакалавриата из разных вузов страны. В числе докладчиков школы были как ведущие преподаватели МИЭМ, так и приглашенные сотрудники профильных российских компаний. Они рассказали о перспективных направлениях развития электроники, фотоники, квантовых технологий и интернета вещей (IoT).

июл

2021

В МИЭМ прошла III летняя школа «Электроника, наноэлектроника и интернет вещей»

В работе школы приняли участие около 30 студентов и выпускников бакалавриата. В числе докладчиков школы были как ведущие преподаватели МИЭМ НИУ ВШЭ, так и приглашенные сотрудники профильных российских компаний.

июл

2020

В МИЭМ прошла II Летняя школа "Электроника, наноэлектроника и интернет вещей"

В период с 07 по 09 июля 2020 г. в МИЭМ состоялась летняя онлайн школа «Электроника, наноэлектроника и интернет вещей». Обучение проводилось в онлайн-формате на платформе Zoom.

июн

2019

Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»

29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.

апр

2019

Актуальные проблемы спецстойкой электроники

С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.

окт

2018

Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.

мая

2018

Точные измерения – основа качества и безопасности

С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.

мая

2018

Научно-техническая секция РКК «Энергия» одобрила доклады профессоров МИЭМ НИУ ВШЭ

На заседании Научно-технической секции Ракетно-космической корпорации «Энергия» им. П.А. Королёва были заслушаны доклады профессоров департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Петросянца К.О., Харитонова И.А. и Жаднова В.В.

окт

2017

Международный форум «Микроэлектроника 2017»

Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.

окт

2017

XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем

В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

авг

2017

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017

С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.

июл

2017

«Делай в России!»

В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.

июн

2017

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

апр

2017

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

мар

2017

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

ноя

2016

MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016

On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.

ноя

2016

Международный форум по телекоммуникациям и информационным технологиям

С 22 по 23 ноября 2016 в г. Белград, Сербия, прошел 24-ый Международный Форум по телекоммуникациям (24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016). Форум был организован Министерством образования, науки и технологического развития Сербии, Министерством торговли, туризма и телекоммуникаций Сербии, Отделением Общества IEEE по Сербии и Черногории.

окт

2016

Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств

В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)

окт

2016

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

окт

2016

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

июн

2016

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.

мар

2016

19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника"

15-17 марта 2016 года в Москве, в МВЦ "Крокус Экспо" прошла 19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Выставка является крупнейшей по количеству и самой представительной по составу участников радиоэлектронной промышленности в России и Восточной Европе.

мар

2016

XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»

Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.

окт

2015

Международное совещание VIIIth International Workshop NDT in Progress

С 12 по 14 октября 2015 г. в столице Чехии г. Прага состоялось Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс» (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress).

сен

2015

Выставка «Импортозамещение - 2015»

С 14 по 17 сентября 2015 г. в МВЦ «Крокус-ЭКСПО» проходила крупная международная специализированная выставка «Импортозамещение - 2015». Высокий статус выставки подтвердил визит на выставку представительной делегации во главе с Председателем Правительства РФ Д.А. Медведевым.

июн

2015

18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)

Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.

апр

2013

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).

дек

2012

Выставка «Силовая Электроника» в Москве

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо» прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

Харитонов Игорь Анатольевич

Образование, учёные степени и учёные звания

Профессиональные интересы

Достижения и поощрения

Учебные курсы (2023/2024 уч. год)

Учебные курсы (2022/2023 уч. год)

Учебные курсы (2021/2022 уч. год)

Учебные курсы (2020/2021 уч. год)

Учебные курсы (2019/2020 уч. год)

Учебные курсы (2018/2019 уч. год)

Учебные курсы (2017/2018 уч. год)

Конференции

Участие в конференциях и выставках

Публикации108

Опубликованные тезисы докладов

Участие в грантах, НИР и ОКР

Опыт работы

Информация*

Расписание занятий на сегодня

Публикации¹⁰⁸

Информация^*