• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Семинар НУГ 15.04.2025

15.04.2025 прошел очередной семинар НУГ.

Подготовка доклада Насырова Д.Д. для участия в XXIX Межвузовская научно-техническая конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского 22.04-28.04.2025. Тема доклада "Разработка концпеции СВЧ усилителя мощности на GAN HEMT транзисторе для российских 5G систем".

В связи с бурным развитием областей, связанных с СВЧ-диапазоном, возрастают потребности и требования к усилителям мощности (УМ). Транзисторные устройства на основе GaN HEMT подходят для этих жестких условий благодаря ряду преимуществ. Чтобы способствовать росту производства и совершенствованию этих приборов, целью данной работы является разработка идеи усилителя на основе данного типа активного элемента (АЭ), который может быть применен в российских системах 5G. Достижение цели должно быть реализовано путем правильного выбора элемента на основе знания исходных условий, моделирования в САПР AWR Design Environment и создания реальног образца, работающего в полосе 4400-4900 МГц с КПД не менее 60%, коэффициентом усиления 30 дБ и P1dB равным 40 дБм.

Выступали: Насыров Д.Д., Пресняков С.А, Елизаров А.А., Касаткин А.Д., Кравченко Н.П.

Насыров (PDF, 5.18 Мб)