• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-9590 доб. 15227
Электронная почта:
Адрес: Таллинская ул., д. 34, каб. 213
Время присутствия: Присутственные часы: СР: 17:00 - 19:00 ПТ: 12:00 - 14:00
Расписание
Резюме (PDF, 116 Кб)
SPIN РИНЦ: 5947-3310
ORCID: 0000-0002-6934-2071
ResearcherID: H-7881-2015
Scopus AuthorID: 12141342300
Google Scholar
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Самбурский Лев Михайлович

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 11 лет.

Образование, учёные степени

  • 2013
    Кандидат технических наук
  • 2003

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети»

  • 2003

    Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, факультет: Автоматики и вычислительной техники, специальность «220105 Вычислительные машины, комплексы, системы и сети»

  • Решением диссертационного совета при ИППМ РАН от 23.12.2013 №78 (утверждено приказом Министерства образования и науки РФ от 26.05.2014 №284/нк-10) присвоена учёная степень кандидата технических наук по специальности 05.13.12.

Достижения и поощрения

Выпускные квалификационные работы студентов

Полный список ВКР

Учебные курсы (2017/2018 уч. год)

Учебные курсы (2016/2017 уч. год)

Учебные курсы (2015/2016 уч. год)

Учебные курсы (2014/2015 уч. год)

Учебные курсы (2013/2014 уч. год)

Учебные курсы (2012/2013 уч. год)

Конференции

  • 2017
    XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C

  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели

  • 2016

    The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм

  • Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Доклад: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов

  • XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • 2015

    EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects

  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского (Москва). Доклад: Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения

Публикации

20176

20168

201510

20144

20135

20125

20113

20105

20092

20051

Книга Доморацкий Е. П., Самбурский Л. М. Исследование компьютерной модели арифметико-логического устройства ЭВМ. Методические указания к лабораторной работе по курсу “Организация ЭВМ и систем”. М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2005.

Опубликованные тезисы докладов

  • Самбурский Л. М. Экспериментальное определение параметров полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем, подвергнутых воздействию радиации // Материалы 2‑й Международной молодёжной научной школы «Приборы и методы экспериментальной ядерной физики. Электроника и автоматика экспериментальных установок», г. Дубна, Моск. обл., Объед. ин‑т ядерных исслед., ноябрь 2011

Дополнительные сведения

Научный сотрудник Института проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН)
(отдел автоматизации проектирования аналоговых схем)

Расписание занятий на сегодня

Полное расписание

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017

С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.

«Делай в России!»

В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.  

XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»

Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.

18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)

Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).