Mamed R. Ismail-zade
- Senior Lecturer, Research Fellow: HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE) / School of Electronic Engineering
- Mamed R. Ismail-zade has been at HSE University since 2013.
Education and Degrees
HSE University
HSE University
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.
Awards and Accomplishments
Best Teacher — 2023–2024, 2018–2019
Young Faculty Support Programme (Group of Young Academic Professionals)
Category "New Lecturers" (2019)
Courses (2024/2025)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Project Seminar "Introduction to Specialty" (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 3, 4 module)Rus
- Past Courses
Courses (2023/2024)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Project Seminar "Introduction to Specialty" (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2022/2023)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2021/2022)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electrical Engineering, Electronics and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2020/2021)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Conferences
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Presentation: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2019
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф). Presentation: SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
- 2018
XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского (Москва). Presentation: Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- 2016
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Presentation: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С