• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-9590 доб. 15144
Электронная почта:
Адрес: Таллинская ул., д. 34, каб. 321
Время присутствия: Понедельник 13:00 - 16:00 Четверг 13:00 - 16:00
Расписание
Резюме (DOC, 53 Кб)
ORCID: 0000-0002-5319-9653
ResearcherID: H-7856-2015
Scopus AuthorID: 6506760480
Google Scholar
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!
Сервис предназначен только для отправки сообщений об орфографических и пунктуационных ошибках.

Рябов Никита Иванович

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 42 года.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 2004
    Ученое звание: Доцент
  • 1986
    Кандидат технических наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»
  • 1982

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: факультет Прикладной математики, специальность «Прикладная математика»

  • 1976

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: Автоматики и вычислительной техники, специальность «Электронные вычислительные машины»

Выпускные квалификационные работы студентов

Полный список ВКР

Учебные курсы (2018/2019 уч. год)

Учебные курсы (2017/2018 уч. год)

Учебные курсы (2014/2015 уч. год)

Учебные курсы (2013/2014 уч. год)

  • Методы математического моделирования (Магистратура; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
  • Моделирование оборудования и технологических процессов (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 4-й курс, 2, 1 семестр)Рус
  • Учебная практика (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 2-й курс, 4 модуль)Рус

  • Учебная практика (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Твердотельная электроника и микроэлектроника"; 3-й курс, 1 семестр)Рус

  • Электротехника (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 2-й курс, 1-4 модуль)Рус
  • Электротехника и электроника (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 2-й курс, 1-4 модуль)Рус

Учебные курсы (2012/2013 уч. год)

  • Методы математического моделирования (Магистратура; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
  • Методы математической физики (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 3-й курс, 1 семестр)Рус
  • Микроэлектроника (Специалитет; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Микроэлектроника и элементная база персональных компьютеров"; 4-й курс, 2 семестр)Рус
  • Учебная практика (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Твердотельная электроника и микроэлектроника")Рус

  • Электротехника (Бакалавриат; где читается: Факультет электроники и телекоммуникаций; спец-я "Материалы микро- и наносистемной техники"; 2-й курс, 1, 2 семестр)Рус
  • Электротехника и электроника (Бакалавриат; где читается: Факультет информационных технологий и вычислительной техники; спец-я "Информационно-коммуникационные технологии"; 2-й курс, 1, 2 семестр)Рус

Проекты

ПСГ — Cофинансирование грантов РФФИ и РГНФ

Конференции

  • 2017

    XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов

  • The Sixth China-Russia Conference on Numerical Algebra with Applications (CRCNAA 2017) (Москва). Доклад: Quasi – 3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices
  • 2015

    22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева

  • I Международный симпозиум «Компьютерные измерительные технологии» (Москва). Доклад: Оценка погрешности при измерении времен задержки в межсоединениях

  • Современное состояние и перспективы развития технических наук. Доклад: Исследование влияния неравномерного нагрева на паразитные эффекты в межсоединениях БИС

  • Актуальные проблемы технических наук в России и за рубежом. Доклад: The simulation of delays in IC interconnects considering temperature effects

  • 22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева
  • 22-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2015». Доклад: Исследование зависимости задержек в межсоединениях БИС от нагрева

  • 2014

    The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Публикации25

Участие в выполнении грантов, научных контрактов и договоров

                       2014

- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия -  участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия -  участник работы.
 

                           2013

- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участия -  участник работы.

.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий  микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участия -  участник работы
 

- Грант РФФИ "Исследование и разработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Форма участия -  участник работы.

- НИР  «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Форма участия -  участник работы.

 

                             2012

- НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России».  Форма участия -  участник работы

- НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем»,  гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Форма участия -  руководитель  работы

- НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей»,  грант РФФИ РАН, проект № 10-07-00689-а гос. бюджет (3-ой этап). Форма участия - руководитель работы

- НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Форма участия -  участник работы

Участие в конференциях

III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонат:

- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

"Пульсар-2015" XIV Научно-техническая конференция "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" Москва, 7-9 октября 2015 г. Форма участия - выступление с докладом "Моделирование задержек в межсоединениях ИС с учетом температурных эффектов", соавтор: Е.И. Гладышева.

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия-  соавтор заказного доклада: Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: К.О. Петросянц, П.А. Козынко, И.А. Харитонов.

International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), March 08-09, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia.

 

IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Rostov-on-Don, Rus-sia, September 27 – 30, 2013

 

IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov, Ukraine, September 14 – 17, 2012.

 

18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems. Budapest, Hungary, September 25-27, 2012.

 

Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. XI научно-техническая конференция, Дубна, 17-19 октября 2012 г.


Авторские права и патенты

  • база данных«PATRIA-SiGe»2013620405Петросянц Константин Орестович
    Рябов Никита Иванович
    Торговников Ростислав Александрович

Расписание занятий на сегодня

Полное расписание

Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.