Надточий Алексей Михайлович
- Доцент:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Департамент физики
- Ведущий научный сотрудник:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
Образование, учёные степени
- 2011Кандидат физико-математических наук: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, специальность Физика полупроводников (01.04.10), тема диссертации: Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
- 2005
Специалитет: Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, специальность «Оптико-электронные приборы и системы», квалификация «Инженер»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
2020: Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», курс «Представление информации и данных. Создание презентаций»
Достижения и поощрения
- Благодарность НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург (декабрь 2021)
- Персональная надбавка ректора (2022-2023)
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
Алгоритмы и структуры данных (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Публикации45
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Fominykh N., Ivanov K., Makhov I., Maximov M., Zubov F., Kryzhanovskaya N. Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2023. Vol. 59. No. 1. Article 2000108. doi
- Статья Konstantin A. Ivanov, Alexey M. Nadtochiy, Natalia V. Kryzhanovskaya, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Ivan A. Melnichenko, Mikhail V. Maximov, Alexey E. Zhukov. Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Journal of Luminescence. 2023. Vol. 255. Article 119620. doi
- Статья Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Nadtochiy A., Zhukov A. Analysis of characteristics of InGaAs/GaAs microdisk lasers bonded onto silicon board // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 163-166. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801. doi
- Статья F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010. doi
- Глава книги A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, M. V. Maximov, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi doi
- Статья Melnichenko I., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 23. Article 4213. doi
- Статья N. A. Fominykh, E. I. Moiseev, I. S. Makhov, Min’kov K. N., A. M. Nadtochiy, Guseva Y. A., Kulagina M. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov. The investigation of optical coupling of microlasers with tapered fiber // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2022. Vol. 15. No. 3.3. P. 167-170. doi
- Статья Zubov F., Shernyakov Y., Gordeev N., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A. Ultrahigh modal gain in stripe injection lasers and microlasers based on InGaAs/GaAs quantum dots // Quantum Electronics. 2022. Vol. 52. No. 7. P. 593-596.
- Статья Харченко А. А., Надточий А. М., Серин А. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Жуков А. Е., Максимов М. В., Breuer S. Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 1. С. 97-100. doi
- Статья Минтаиров С., С.А. Блохин, Калюжный Н., М.В. Максимов, Малеев Н., А.М. Надточий, Салий Р., Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 4. С. 32-35. doi
- Статья Жуков А. Е., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 922-927. doi
- Статья Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М., Гусева Ю. А., Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43. doi
- Статья Надточий А. М., Мельниченко И. А., Иванов К. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 993-996. doi
- Статья Zhukov A., Blokhin S., Maleev N. A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M. Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode // Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677-40686. doi
- Статья Novikov I. I., Nadtochiy A., Potapov A. Y., Gladyshev A. G. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Journal of Luminescence. 2021. Vol. 239. Article 118393. doi
- Статья Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S., Serin A. A., Shernyakov Y. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Nadtochiy A., Zhukov A. Material gain of InGaAs/GaAs quantum well-dots // Semiconductor Science and Technology. 2021. Vol. 36. No. 1. Article 015008. doi
- Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI Vol. 11775. Washington : SPIE, 2021. doi Ch. 117750P. P. 75-79. doi
- Статья Nadtochiy A., Gordeev N. Y., Kharchenko A. A., Berdnikov Y., Maximov M., Zhukov A. Saturated Layer Gain in Waveguides With InGaAs Quantum Well-Dot Heterostructures // Journal of Lightwave Technology. 2021. Vol. 39. No. 23. P. 7479-7485. doi
- Статья Kharchenko A., Nadtochiy A., Mintairov S., Maximov M., Zhukov A. Study of waveguide absorption in InGaAs ”quantum well-dots” heterostructures // Nano-Structures and Nano-Objects. 2021. Vol. 25. Article 100628. doi
- Статья Шерняков Ю., Гордеев Н., Паюсов А., Серин А., Корнышов Г., Надточий А. М., Кулагина М., Минтаиров С., Калюжный Н., Максимов М. В., Жуков А. Е. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 3. С. 256-263. doi
- Статья Малевская А., Калюжный Н. А., Малевский Д. А., Минтаиров С. А., Надточий А. М., Нахимович М. В., Солдатенков Ф. Ю., Шварц М. З., Андреев В. М. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. С. 699-703. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Гордеев Н. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 9. С. 820-825. doi
- Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С., Надточий А. М., Максимов М. В., Гордеев Н. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 12. С. 1223-1228. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В., Драгунова А. С. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 2. С. 195-200. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 13. С. 28-31. doi
- Статья Mintairov S. A., Maximov M., Nadtochiy A., Zhukov A. Electronic states in GaAs photoconverters with InGaAs quantum well-dots // Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 1. Article 015009. doi
- Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Dragunova A., Maximov M., Berdnikov Y., Zubov F. I., Mintairov S. A., Kadinskaya S. A., Kulagina M. M., Kalyuzhnyy N. A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. P. 1-8. doi
- Статья Maximov M., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Zhukov A. Light Emitting Devices Based on Quantum Well-Dots // Applied Sciences (Switzerland). 2020. Vol. 10. No. 3. Article 1038. doi
- Статья Maximov M., Nadtochiy A., Zhukov A. Modification of InGaAs/GaAs heterostructure density of states and optical gain using hybrid quantum well-dots // Laser Physics Letters. 2020. Vol. 17. No. 9. P. 095801. doi
- Глава книги Максимов М. В., Nadtochiy A., Zhukov A. Optoelectronic devices with active region based on InGaAs/GaAs quantum well dots, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi P. 1135601-1135607. doi
- Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyi N., Zubov F., Maximov M. The Effect of Self-Heating on the Modulation Characteristics of a Microdisk Laser // Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. P. 515-519. doi
- Статья Максимов М. В., Надточий А. М., Жуков А. Е. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950-1100 nm на основе In0.4Ga0.6As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 11-14. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 11. С. 3-7. doi
- Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Можаров А. М., Кадинская С. А., Симчук О. И., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 16. С. 3-6. doi
- Статья Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Моисеев Э. И., Жуков А. Е., Харченко А. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Кулагина М. М., Максимов М. В. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 13. С. 7-10. doi
- Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В. Предельная температура генерации микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 6. С. 570-574. doi
- Статья Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 4. С. 42-45. doi
- Статья Nadtochiy A., Максимов М. В., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Nevedomskiy V. N., Rouvimov S. S., Zhukov A. Gradual evolution from quantum well like to quantum dot like characteristics in InGaAs/GaAs nanostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. 2018. Vol. 255. No. 9. Article 1800123. doi
- Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Nadtochiy A. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots // Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. P. 4554-4557. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Maximov M., Moiseev E., Nadtochiy A., Lipovskii A. Room Temperature Lasing in 1-μm Microdisk Quantum Dot Lasers // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. 2015. Vol. 21. No. 6. P. 709-713. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A., Nadtochiy A., Moiseev E., Lipovskii A. Single-Mode Emission From 4-9-μm Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots // Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. P. 171-175. doi
- Статья Kryzhanovskaya N., Mukhin I., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A., Maximov M., Lipovskii A. Control of emission spectra in quantum dot microdisk/microring lasers // Optics Express. 2014. Vol. 22. No. 21. P. 25782-25787. doi
- Статья Maximov M., Kryzhanovskaya N., Nadtochiy A., Moiseev E., Zhukov A., Lipovskii A. Ultrasmall microdisk and microring lasers based on InAs/InGaAs/GaAs quantum dots // Nanoscale Research Letters. 2014. Vol. 9. No. 1. P. 657-657. doi
Опыт работы
С 2005 - ФТИ им. А.Ф. Иоффе, аспирантура, С-Петербург, Россия
аспирант, м.н.с.
С 2009 Лаб. Нанофотоники, Алферовский Университет, С-Петербург, Россия
с.н.с.
2009, 2010, 2010 Технический Университет Берлина, Германия
Приглашенный ученый
2012, 2014 Department of Electrical Engineering, Univeristy of Notre Dame, Indiana, USA
Приглашенный ученый
С 03.2013 ООО "Солар Дотс", С-Петербург, Россия
Ген. директор
С 02.2020 Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, ВШЭ, С-Петербург, Россия
в.н.с.
«Судя по постерной сессии, здесь собрались все»: чем запомнилась конференция Saint Petersburg OPEN для физиков
В мае в Питерской Вышке прошла Saint Petersburg OPEN — конференция по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам. Организатором мероприятия стала Школа физико-математических и компьютерных наук. В мероприятии приняли участие 276 ученых из 22 городов России — от Петербурга до Владивостока.
Солнечные батареи, полупроводники, задачи по дифракции и лазерная гравировка HSE: чем запомнился День физика
18 марта в корпусе на Кантемировской прошел День физика. Ученики 10–11-х классов прослушали лекции о полупроводниковых лазерах и солнечных батареях от научных сотрудников Питерской Вышки и ФТИ имени А. Ф. Иоффе. Затем ребятам провели экскурсию по Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, некоторые получили лазерную гравировку HSE в подарок. Как прошел День физика — в репортаже.
В мае Питерская Вышка проведет конференцию по физике Saint Petersburg OPEN 2023
С 23 по 26 мая пройдет Saint Petersburg OPEN: школа-конференция по оптоэлектронике, фотонике, инженерии и наноструктурам для молодых ученых. Ее организует Школа физико-математических и компьютерных наук. Подача тезисов продлится до 1 апреля. Рассказываем, что ждет участников конференции.