Mamed R. Ismail-zade
- Senior Lecturer:HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE) / School of Electronic Engineering
- Mamed R. Ismail-zade has been at HSE University since 2013.
Education and Degrees
- 2022
Candidate of Sciences* (PhD)
HSE University - 2019
Doctoral programme
HSE University - 2015
Master's in Electronics and Nanoelectronics
HSE University
According to the International Standard Classification of Education (ISCED) 2011, Candidate of Sciences belongs to ISCED level 8 - "doctoral or equivalent", together with PhD, DPhil, D.Lit, D.Sc, LL.D, Doctorate or similar. Candidate of Sciences allows its holders to reach the level of the Associate Professor.

Young Faculty Support Program (Group of Young Academic Professionals)
Category "New Lecturers" (2019)
Courses (2023/2024)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Project Seminar "Introduction to Specialty" (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 1 year, 3, 4 module)Rus
- Past Courses
Courses (2022/2023)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2021/2022)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electrical Engineering, Electronics and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2020/2021)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 1, 2 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2019/2020)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
Courses (2018/2019)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1-4 module)Rus
Courses (2017/2018)
- Circuit Engineering of Telecommunication Devices (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 3 year, 3, 4 module)Rus
- Electronics, Electrical and Metrology (Bachelor’s programme; HSE Tikhonov Moscow Institute of Electronics and Mathematics (MIEM HSE); 2 year, 1-4 module)Rus
20231
20223
- Chapter K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Chapter Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
20214
- Article Ismail-zade M. R. JFET and MOSFET SPICE Models in a Wide Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2021. Vol. 50. No. 7. P. 486-490. doi
- Article Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. Оценка эффективности применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОП-транзисторов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 912-913. doi
20208
- Article Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
- Chapter Lev M. Sambursky, Mamed R. Ismail-zade, Nina V. Blokhina. Early Study of Transistor and Circuit Parameter Variation for 180 nm High-Temperature SOI CMOS Production Technology, in: 2020 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). IEEE, 2020. P. 1-7. doi
- Chapter Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 229-232. doi
- Article Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2020. Т. 25. № 1. С. 40-47. doi
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
- Chapter K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
- Article K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
20192
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C) // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. М. : ООО "Спектр", 2019. С. 284-292.
- Article Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184. doi
20185
- Chapter Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
- Chapter Lev M. Sambursky, Dmitry A. Parfenov, Mamed R. Ismail-zade, Alexander S. Boldov, Borislav S. Dubyaga. Prediction of High-Temperature Operation (up to +300°C) of Reference Voltage Source Built with Temperature-Tolerant Production Technology, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 609-613. doi
- Chapter Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
- Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
- Chapter Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
20179
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Chapter Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
- Chapter Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin, Vladimir S. Danykin, Igor A. Chetverikov. Hardware-Software System for Automation of Characteristics Measurement of SOI CMOS VLSI Elements under Extreme High Temperature Conditions (up to 300°C), in: Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus) Part 2. M. : IEEE, 2017. P. 423-428. doi
- Chapter Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
- Chapter Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю., Четвериков И. А., Даныкин В. С. Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
- Article Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // Труды НИИСИ РАН. 2017. Т. 7. № 2. С. 41-45.
- Chapter Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю., Исмаил-Заде М. Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
- Chapter Исмаил-Заде М. Р. Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C) // В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, А. А. Елизаров, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282-283.
- Chapter Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
20163
- Chapter Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, С. А. Аксенов, У. В. Аристова, Л. Н. Кечиев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, А. Б. Лось, И. С. Смирнов, Н. С. Титкова. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
- Chapter Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
20152
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В. Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова, С. У. Увайсов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262-263.
- Article Исмаил-Заде М. Р., Полесский С. Н., Увайсов С. У. Программный комплекс автоматизированного синтеза набора тестовых воздействий на базе LABVIEW // Качество. Инновации. Образование. 2015. № 10. С. 33-38.
20143
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Анализ состояния проблемы экстренного реагирования при авариях на дорогах // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 113-114.
- Article Исмаил-Заде М. Р., Увайсов С. У., Тихменев А. Н. Архитектура информационной системы диагностического моделирования // Качество. Инновации. Образование. 2014. № 12. С. 81-87.
- Chapter Исмаил-Заде М. Р., Калигин Н. Н., Журков А. П. Программное обеспечение для системы автоматизированного контроля аппаратуры пеленгаторной позиции // В кн.: Сборник трудов VII Международной научно-практической конференции учащихся и студентов Ч. 1. Протвино : Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 105-108.
Conferences
- 2020
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта). Presentation: SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры
- 2019
Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых (Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф). Presentation: SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температуры (–200…+300°C)
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
- Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Presentation: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
- 2017
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского (Москва). Presentation: Подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C)
- XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Presentation: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)
- 2016
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Presentation: Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов
- XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Presentation: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
- 2015
Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского (Москва). Presentation: Программно-аппаратный комплекс для экстракции параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения