• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Версия для слабовидящихЛичный кабинет сотрудника ВШЭПоискМеню

Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов с учетом тепловых эффектовDevelopment and research of MOSFET and JFET compact SPICE models with account for thermal effects

Члены комитета:
Саенко Владимир Степанович (МИЭМ им. А.Н. Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.т.н., председатель комитета), Гольцман Григорий Наумович (МИЭМ им. А.Н. Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д.ф.-м.н., член комитета), Каперко Алексей Федорович (МИЭМ им. А.Н. Тихонова ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», д. т. н., член комитета), Кузнецов Вадим Вадимович (X-FAB Dresden GmbH&Co, к.т.н., член комитета), Меликян Вазген Шаваршович (ЗАО «Синопсис Армения", д.т.н., член комитета)
Диссертация принята к предварительному рассмотрению:
10/20/2021
Диссертация принята к защите:
11/10/2021 (Протокол №17)
Дисс. совет:
Совет по инженерным наукам и прикладной математике
Дата защиты:
2/10/2022
Диссертационная работа посвящена разработке и исследованию схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов, предназначенных для расчета электронных схем, работающих в сверхшироком диапазоне температур: от –270°C до +300°C. Для построения температурных версий SPICE-моделей использовался универсальный подход, заключающийся в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для температурно-зависимых параметров. Разработана методика и программный модуль для определения параметров разработанных моделей MOSFET и JFET-транзисторов из результатов измерений их электрических характеристик в широком диапазоне температур. Достоверность результатов подтверждена достаточным для практических расчетов совпадением результатов моделирования с экспериментальными электрическими характеристиками всех типов MOSFET и JFET структур, рассмотренных в диссертации, в исследуемых диапазонах температур.
Диссертация [*.pdf, 9.99 Мб] (дата размещения 12/3/2021)
Резюме [*.pdf, 283.80 Кб] (дата размещения 12/3/2021)
Summary [*.pdf, 213.10 Кб] (дата размещения 12/3/2021)

Публикации, в которых излагаются основные результаты диссертации



Отзывы
Отзыв научного руководителя
Отзыв члена Комитета
Сведения о результатах защиты:
Комитет по диссертации рекомендовал присудить учёную степень кандидата технических наук (протокол № 2 от 10.02.2022г.).Решением диссертационного совета (протокол № 4 от 22.02.2022г.) присуждена ученая степень кандидата технических наук.