• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-9590 доб 15208
Электронная почта:
Адрес: Таллинская ул., д. 34, каб. 713
Время присутствия: Понед. 13:00 - 15:00 Среда 13:00 - 15:00 Четв. 13:00 - 15:00
Расписание
Резюме (DOC, 31 Кб)
SPIN РИНЦ: 1359-6351
ORCID: 0000-0001-7969-4786
ResearcherID: H-7772-2015
Scopus AuthorID: 6602577918
Google Scholar
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Петросянц Константин Орестович

  • Ординарный профессор (2013)
  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 48 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 1987
    Ученое звание: Профессор
  • 1980
    Ученое звание: Доцент
  • 1974

    Доктор технических наук: Московский государственный институт электроники и математики, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»

  • 1968

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «автоматика и телемеханика»

Достижения и поощрения

  • Почетный работник высшего профессионального образования РФ (сентябрь 2012)
  • Лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (март 1999)
  • Медаль "В память 850-летия Москвы" (декабрь 1998)
  • Лучший преподаватель – 2016
  • Надбавка за академическую работу (2016-2017, 2014-2015, 2013-2014)

Выпускные квалификационные работы студентов

Полный список ВКР

Учебные курсы (2017/2018 уч. год)

Учебные курсы (2016/2017 уч. год)

Учебные курсы (2015/2016 уч. год)

Учебные курсы (2014/2015 уч. год)

Учебные курсы (2013/2014 уч. год)

Учебные курсы (2012/2013 уч. год)

Участие в редколлегиях научных журналов

  • С 2011г.: член редколлегии журнала «Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы».

  • С 1994г.: член редколлегии журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника».

  • С 1994г.: член редколлегии журнала «Нано- и микросистемная техника».

Конференции

  • 2017
    XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов

  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения

  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели

  • 2016

    The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью

  • 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects

  • XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • 2015

    EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects

  • Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography

  • VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography

  • Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

  • 24-th European conference on radiation and its effects on components and systems (RADECS-2015) (Москва). Доклад: Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 (Paris). Доклад: High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures

  • XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
  • 2014

    The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Участие в конференциях и выставках

                                                              2017 год

Крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». 13 - 17 марта 2017, США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины».Форма участия -  предсталение доклада: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C», соавторы Харитонов И.А., Самбурский Л.М. , Стахин В.Г., Лебедев С.В., Исмал-Заде М.Р., Игнатов П.

Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2017 г., проводил  ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - cоавтор  доклада «Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов ,  Л. М. Самбурский, М.Р.  Исмаил-Заде, В. Г. Стахин,  С. В. Лебедев) 

2016 год

24-ой Международный форум по телекоммуникациям (24-th Telecommunications Forum, TEFOR 2106). Белград, Сербия, 22-23 ноября 2016 г. Форма участия - cсоавтор доклада:  Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, Соавторы: И.А. Харитонов, Е.И. Батаруева

Международная конференция 22-nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). Будапешт, Венгрия, 21-23 сентября 2016. Форма участия- соавтор доклада "Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)". Авторы:Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. 

Международный форум «Микроэлектроника 2016», г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября 2016 г.  2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули». Форма участия - соавтор докладов:  1) "Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Схемотехнические SPICE-модели." Петросянц К.О. 2)  "Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КМОП КНИ транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью ." Авторы: Петросянц К.О., Попов Д.А. 3) "Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С)  при уменьшении размеров до 0,18 мкм". Авторы: Петросянц К.О., Харитонов, И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Лебедев С. В., Стахин В. Г. (Зеленоградский нанотехнологичечский Центр).

 

Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем», проводимая ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино, 7-8 июня 2016. Форма участия - соавтор докладов: 1) "Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»); 2) Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300оС)", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов , В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)

 

Международная конференция   The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016), 6.04.2016 - 8.04.2016, Бразилия, Фос-ду-Игиасу. Форма участия - докладчик. Доклад "Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model". Соавторы: Львов Б.Г., Харитонов И.А, Самбурский Л.М.

 2015 год

Международная конференция Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium (SEMITHERM- 2015). Крупнейший международный форум по вопросам теплового проектирования  и контроля элеткронных компонентов и систем. San Jose, CA, USA, 15-19 марта Доклад "Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD". Соавтор -Торговников Р.А.

 

III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2-  4 декабря 2015 года.  Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонаты: 

  - Система целевой подготовки и переподготовки инженерных кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей;

-  Аппаратно-программный комплекс для  исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена  научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

-  Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

 

Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress. Meeting of NDT Experts», 12 -14 октября 2015 г., Чехия, г. Прага . Форма участия-  докладчик на тему  «Неразрушающий тестирование перегрева электронных компонентов методами инфракрасной термографии» («Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography»). Соавтор- проф. Харитонов И.А.

 

Международная специализированная выставка «Импортозамещение—2015», МВЦ «Крокус-ЭКСПО», 14 - 17 сентября 2015 г. Форма участия- доклад от МИЭМ НИУ ВШЭ на тему «Система целевой подготовки и переподготовки кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей». Соавторы - Тихонов А. Н., Абрамешин А. Е., Львов Б. Г., Увайсов С. У., Харитонов И. А. (все МИЭМ НИУ ВШЭ), Балакин С. В. (РКК «Энергия» им. С. П. Королёва), Крутиков В. Н. (ВНИИОФИ), Казанский А. Г. (НИИСУ), Четыркин А. Н. (НИИКП).

 

ХIV научно-техническая  конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, ОАО НПП «Пульсар», 7-9 октября 2015 года .Форма участия- соавтор докладов: "Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский,  В.М. Олухов. Соавтор доклада "Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский

 

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым,  Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- выступление с заказными докладами:        Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы:  П.А. Козынко, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов.     Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов.     Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С). Соавторы: С. В. Лебедев, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, И. А. Харитонов . Заказной доклад  "Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов" (без соавторов)
 

Крупнейшая международная  конференция по методам и применениям инфракрасной термографии (The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications).  Охватывает широкий круг вопросов, касающихся методов и областей применения термографии: аппаратура для термографии,  методы термографии,  обработка тепловизионных изображений,  области примененния термографии от материалов до зданий, здоровья людей, астрономии. Пиза, Италия, 29.09.2015 - 2.10.2015. Форма участия- соавтор доклада на тему "Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography" (Анализ нагрева проводников современных печатных плат протекающим токов с помощью средств термографии). Соавторы: И.А. Харитонов, А.А. Попов

 

 

Крупнейшая международная Европейская конференция по радиационной стойкости «Radiation Effects on Components and Systems» (RADECS 2015), 14-18 сентября 2015 г. Москва. Посвящена представлению и обсуждению последних достижений в области радаиационных эффектов в электронных и фотоэлектронных материалах, приборах, схемах, сенсорах, системах.   Форма участия - докладчик. Доклады: "Rad-hard versions of spice MOSFET models for effective simulation of SOI/SOS CMOS circuits taking into account radiation effects", "SiGe HBT TCAD simulation taking into account impact of proton radiation", "TCAD simulation of total ionization dose response of 45nm high-k mosfets on bulk silicon and SOI substrate". Соавторы I.A. Kharitonov, L.M. Sambursky, A.S. Mokeev, D.A. Popov, M.V. Kozhukhov

 

Ипортозамещение

 

Ежегодная 18-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2015» (г. Лыткарино),  2-3 июня 2015 г.    Конференция прошла в  соответствии с Планом проведения научно-технических мероприятий Госкорпорации «Росатом». Ее провjдил ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов». Форма участия: докладчик. Доклад: "Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик". Соавторы: И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский,

     
Joint IEEE International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon , EUROSOI-ULIS- 2015, 2015 Bologna, Italy, 26.01.2015 - 28.01.2015 Соавтор доклада, докладчик "SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L.M. Sambursky
 

15-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 25.02.2015 - 26.02.2015 Российская Федерация, Нижний Новгород. Форма участия: соавтор доклада. Доклад: Универсальная  SPICE модель КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе платформ BSIM-SOI и EKV-SOI. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский
 

                                                             2014 год

11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника».25-27 ноября 2014,  Крокус Экспо, " Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации", "Исследование тепловых полей  в  мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки". Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и  И.А. Харитонова.

XI Международная научно-практическая конференция «ИННОВАЦИИ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ И КОММУНИКАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» (ИНФО-2014) 1.10.2014 - 10.10.2014 Российская Федерация, Сочи. Соавтор доклада, докладчик  "Подсистема проектирования интегральных схем с учетом действия фактров температуры и радиации доклада на конференции". Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.


1-й Всероссийский форум технологического лидерства России "ТЕХНОДОКТРИНА-2014", 6.11.2014 - 7.11.2014 Российская Федерация, Москва. Соавтор доклада , докладчик "Система целевой подготовки специалистов в области электроники для аэрокосмической отрасли, построенная на базе научно-образовательных модулей «вуз-предприятие»". А.Н. Тихонов, Б.Г. Львов, К.О. Петросянц, С.У. Увайсов, И.А. Харитонов , С.В. Балакин, А.Н. Четыркин, В.Н. Крутиков
 

10th European Workshop on Microelectronics Education, 14.05.2014 - 16.05.2014 Эстония, Таллин, соавтор доклада "The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link", A.N. Tikhonov, B.G. Lvov, K.O. Petrosyants, S.U. Uvaysov, I.A. Kharitonov, V. Balakin, A.N., Chetyrkin, V.N. Krutikov. Докладчик
 
 III Международная научно-практическая конференция Innovative Information Technologies, 21.04.2014 - 25.04.2014, Чехия, Прага. Соавтор доклада, докладчик  "EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE". K.O. Petrosyants, I.A. Kharitonov, M.V. Kozhukhov, L.M. Sambursky
 

The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering, 8.03.2014 - 9.03.2014 Малайзия, Куалу-Лумпир. Соавтор доклада. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components. K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov,
                                             
14-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2014 - 28.02.2014 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: Соавтор доклада. Доклад: Моделирование элементов БиКМОП БИС с учетом радиационных эффектов. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.В. Кожухов

                                 

                                                      2013 год

10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013,  Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:
1)База данных по характеристикам и параметрам моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2)Исследование тепловых характеристик преобразователей напряжения с помощью ИК тепловизионной установки 
 Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и Электротехника". К.О. Петросянц - один из руководителей экспонатов.

 

  Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада, докладчик  "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры",  авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М.



Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г.  Santander, Испания, 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- соавтор стендового доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems".

Техническое совещание «Проблемы математического моделирования  РЭА на этапах её разработки»,  ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики  им. Н.Л. Духова»,  22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - соавтор доклада на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов. 


II Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага,
22–26 апреля.
Форма участия - руководитель секции "Инновационные информационные технологии в науке", докладчик. Темы докладов:  "SPICE-МОДЕЛИ КРЕМНИЕВЫХ БТ И КРЕМНИЙ‑ГЕРМАНИЕВЫХ ГБТ, УЧИТЫВАЮЩИЕ ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ", соавтор - Кожухов М. В.; "ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы Харитонов И.А., Попов Д. А.

Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г.
 Форма участия - докладчик. тема доклада 
«Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects».
13-ий  научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 
27.02.2013 - 28.02.2013  Российская Федерация, Нижний Новгород 
форма участия: докладчик  
Доклад    Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС
   
                                                    2012 год
12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Тема доклада "Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий"

Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012"
18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области
форма участия: докладчик
Тема доклада "Методы математического моделирования элементов ИС и ИС при радиационном воздействии

Научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012»
26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль
формы участия: докладчик
Доклады:
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

18th International Workshop on Thermal investigations of ICs and Systems "Therminic 2012"
24.09.2012 - 27.09.2012 Венгрия, Будапешт
форма участия: докладчик
Доклад : Quasi – 3D approach for BGA Package Thermal Modeling.

Конференция «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем» (MQ&ISM-2012)
16.09.2012 - 23.09.2012 Австрия, Вена
форма участия: докладчик
Доклад: Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения

Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем
11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва
форма участия: докладчик
Доклад: Схемотехнические SPICE-модели элементов аналого-цифровых ИС

Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)
14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады:
New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

Крупнейший международный научно-технический семинар-выставка по исследованию тепловых процессов в электронных компонентах
«IMAPS Advanced Technology Workshop and Tabletop Exhibition on Thermal Management», 12 - 14 ноября 2012 г.,Кремниевая долина,
г. Лос-Гатос (Калифорния, США),
форма участия: докладчик
Доклад «Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces»
("Экспериментальное исследование температурно-токовых характеристик трасс печатных плат со встроенными активными
компонентами»)  был признан одним из лучших и отмечен Оргкомитетом IMAPS–2012 специальной грамотой.

9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо»
В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ
были представлены два экспоната :
1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.
К.О. Петросянц - руководитель выставленных работ.

Публикации

Книги2

Статьи и главы в книгах111

Под редакцией1

Книга Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.

Научный руководитель диссертационных исследований

на соискание учёной степени кандидата наук

Авторские права и патенты

  • база данных«PATRIA-SiGe»2013620405Петросянц Константин Орестович
    Рябов Никита Иванович
    Торговников Ростислав Александрович
  • изобретение«Устройство регистрации импульсного изображения»2551895Доморацкий Е.О., Петросянц К.О.
  • программа для ЭВМ«Эволюционное моделирование структуры интегральной схемы с учетом конкретной технологии (Tophist97)»990053Трубочкина Н.К.
    Петросянц К.О.
    Кудинов Г.А.
    Кутненко В.В.

Опубликованные тезисы докладов (кроме списка публикаций)

  • Петросянц К. О., Торговников Р. А. Элементная база SiGe БиКМОП СБИС ведущих зарубежных компаний для создания высокоскоростных систем передачи информации // Материалы VI семинара «Перспективы создания отечественной СВЧ электронной компонентной базы для высокоскоростных систем передачи информации 4‑го поколения», М., ФГУП «НПП „Пульсар“», апр. 2011
  • Петросянц К. О. Электро-тепловое моделирование полупроводниковых приборов, микросхем и электронных модулей // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
  • K. O. Petrosyants. Models and Software Tools for Electro-Thermal Design of Semiconductor Devices and ICs // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011

Участие в грантах, НИР, ОКР

2015

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик . Заказчик- ФГУП «ВНИИА». Руководитель работы.

- НИР «Разработка и исследование моделей МОП-КНИ транзисторов с учетом воздействия нейтронов». Заказчик - ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Руководитель работы.

 

2014

- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия -  участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - Руководитель работы.
 

                           2013

- ОКР «Разработка  параметров модели для проектирования аналоговых и  цифро-аналоговых  специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», Шифр: ОКР «Угра-МИЭМ» Этап 2. (заказчик ОАО «НПО ИТ»). Форма участи - отвественный исполнитель.
- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участи - Руководитель работы

.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий  микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участи - руководитель работы.
 

  • Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Руководитель
  • НИР  «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Руководитель.
                                                                                                               2012
  •  Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (1-ый этап)  - Руководитель
  • НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) - Руководитель
  • НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем»,  гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
  • НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей»,  грант РФФИ РАН, гос. бюджет (3-ой этап). - Исполнитель
  • НИР «Исследование конструктивно-технологических решений по созданию базовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС со структурой «кремний на изоляторе», гос. бюдж.  - Руководитель
  • НИР «Разработка физических моделей приборного моделирования характеристик субмикронных транзисторов КМОП КНИ с учетом воздействия спецфакторов», «Модель-С-МИЭМ-2012», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС», г. Нижний Новгород). - Руководитель
  • НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Руководитель
  • ОКР «Разработка  параметров моделей для проектирования аналоговых и  цифро-аналоговых  специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры»,  «Угра-МИЭМ», 1-ый этап, (заказчик- ОАО «НПО ИТ», г. Королев). - Руководитель

 

2011

  •  НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Руководитель
  • НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Руководитель
  • НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
  • НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (2-ой этап) - Исполнитель
  • НИР «Разработка методик модификации SPICE-моделей МОП КНИ транзисторов и экстракции их SPICE-параметров», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). - Руководитель
  • ОКР «Моделирование и испытания радиационностойких  интегральных преобразователей»прикладная, Этап 3,  (заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
  • ОКР«Испытание на радиационную стойкость ИС опытного образца ИПТ», шифр «Таймыр-МИЭМ-2»,(заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
  • НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Руководитель

Расписание занятий на сегодня

Полное расписание

Добро пожаловать в студенческую семью

Вновь МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу 1 сентября 2017 года было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017

С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.

«Делай в России!»

В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

Поздравляем Константина Орестовича Петросянца с награждением Премией Правительства РФ

Константин Орестович Петросянц, ординарный профессор НИУ ВШЭ, профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ награжден Премией Правительства РФ в области образования за создание высококачественных учебных изданий для системы образования Российской Федерации по направлению «Физика, технология, приборы и схемы современной микро- и наноэлектроники».

MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016

On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.

Международный форум по телекоммуникациям и информационным технологиям

С 22 по 23 ноября 2016 в г. Белград, Сербия, прошел 24-ый Международный Форум по телекоммуникациям (24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016). Форум был организован Министерством образования, науки и технологического развития Сербии, Министерством торговли, туризма и телекоммуникаций Сербии, Отделением Общества IEEE по Сербии и Черногории.

«Наша программа близка к аналогичным программам ведущих американских университетов, в первую очередь, MIT»

В 2017 году в Вышке открывается магистерская программа «Материалы. Приборы. Нанотехнологии». Ее студенты будут не просто изучать новейшие материалы и технологии, но и самостоятельно конструировать высокотехнологичные приборы. Подробнее о программе рассказывает ее научный руководитель, профессор НИУ ВШЭ, член-корреспондент РАН Максим Каган.

Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств

В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

Добро пожаловать, первокурсник

1 сентября 2016 года, МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.  

Konstantin Petrosyants Spoke at IEEE Latin American Test Symposium

On April 6th-9 th , the IEEE Latin American Test Symposium was held under the auspices of the Institute of Electrical and Electronics Engineers in the city of Foz do Iguaçu, Brazil.

19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника"

15-17 марта 2016 года в Москве, в МВЦ "Крокус Экспо" прошла 19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Выставка является крупнейшей по количеству и самой представительной по составу участников радиоэлектронной промышленности в России и Восточной Европе.

XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»

Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.

Итоги совещания в НПО Измерительной техники по вопросам сотрудничества

30 октября 2015 года в НПО Измерительной техники (г. Королев, Московская область) состоялось совещание по широкому кругу вопросов взаимодействия предприятия с МИЭМ НИУ ВШЭ.

Международное совещание VIIIth International Workshop NDT in Progress

С 12 по 14 октября 2015 г. в столице Чехии г. Прага состоялось Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс» (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress).

Выставка «Импортозамещение - 2015»

С 14 по 17 сентября 2015 г. в МВЦ «Крокус-ЭКСПО» проходила крупная международная специализированная выставка «Импортозамещение - 2015». Высокий статус выставки подтвердил визит на выставку представительной делегации во главе с Председателем Правительства РФ Д.А. Медведевым.

18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)

Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.

Семинар "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития"

15 апреля 2015 г. в новом учебном корпусе МИЭМ НИУ ВШЭ пошел обзорный семинар по средствам проектирования компании Mentor Graphics "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития". Семинар проводился совместно дистрибьютором Mentor Graphics, компанией ЗАО «МЕГРАТЕК» и МИЭМ НИУ ВШЭ.

Ученый совет: последнее заседание учебного года

28 июня на заседании Ученого совета ВШЭ утверждены контрольные цифры и правила приема в аспирантуру, приняты решения о создании факультета дизайна и ряда кафедр, одобрены несколько положений и регламентов, а также проведен конкурс профессорско-преподавательского состава.

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).

Выставка «Силовая Электроника» в Москве

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо»  прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта  выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

«Мы являемся пионерами в этой сфере»

Директор МИЭМ ВШЭ Александр Тихонов рассказывает о прошедшей в Австрии международной конференции «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем».

Ученый совет МИЭМ

16 октября состоялось первое после объединения с Высшей школой экономики заседание Ученого совета Московского института электроники и математики.