Попов Дмитрий Александрович
- Доцент:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент компьютерной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2016 году.
- Научно-педагогический стаж: 5 лет.
Образование
Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника», квалификация «инженер»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
2020 14 - 16 марта (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва). Особенности организации учебного процесса в НИУ ВШЭ: правила и принципы, нормативные и методические вопросы, применение информационно-коммуникационных технологий
Скан удостоверения ОУ42_Попов.pdf
2018 5 сентября - 31 октября (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва). Программирование на языке Python для сбора и анализа данных.
Повышение квалификации "Программирование на языке Python для сбора и анализа данных"
2017 6-8 октября («Вороново», Москва). Выездной семинар кадрового резерва НИУ ВШЭ «Коллаборативные технологии как средство повышения эффективности преподавательской и исследовательской деятельности».
2017 14 - 15 июня (Yandex, Москва). Интенсив (лекционный курс) по подготовке преподавателей к участию в проекте Data Culture.
2017 21 - 23 апреля («Вороново», Москва). Выездной семинар кадрового резерва НИУ ВШЭ «Реализация академических проектов: новые возможности профессионального развития молодых преподавателей и исследователей университета».
2016 5 - 22 декабря (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва) Удостоверение о повышении квалификации «Управление проектами в высшем образовании».
Повышение квалификации "Управление проектами программы развития университета"
2016 26 октября (Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ), Зеленоград). Семинар «MIPSfpga и Connected MCU» (Imagination Technologies Group plc).
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые преподаватели до 30 лет" (2017)
Выпускные квалификационные работы студентов
- Бакалавриат
Калинин К. О. «Разработка измерительной системы на базе виртуального прибора Agilent 4263B». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Маилян К. Г. «Разработка программного комплекса управления smart браслетом». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Оганесян Р. А. «Разработка программного комплекса управления smart браслетом». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Мусатов А. С. «Разработка БПЛА для создания точных 3D моделей по фотоматериалу». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2020
- Магистратура
Меликсетов Е. С. «Разработка системы для управления светодиодными экранами». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Султанов А. О. «Моделирование сбоев в статических ячейках памяти при масштабировании размеров элементов с учетом температурных эффектов». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Гниненко И. А. «Разработка системы питания антропоморфного робота». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Зыбынов А. А. «Разработка системы для управления светодиодными экранами». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Эко С. -. «Разработка зарядного устройства для свинцовых аккумуляторов». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Моисеев Г. -. «Исследование характеристик полупроводниковой структуры на основе беспереходного транзистора». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Федотов А. В. «Калибровка моделей диффузии и имплантации в TCAD». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Ермохин А. В. «Разработка носимого устройства для предупреждения нарушения социальной дистанции». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Сутакова В. В. «Разработка носимого устройства для предупреждения нарушения социальной дистанции». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2021
Быков В. Ю. «Разработка программно-аппаратного комплекса для измерения параметров радиостанций c частотной модуляцией и OFDM». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2020
Копытов Д. В. «Моделирование субмикронных МОП-транзисторов с использованием нейронных сетей». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2019
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Проектирование и моделирование элементной базы микроэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Методология инновационного инженерного проектирования (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования вычислительных систем (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2019/2020 уч. год)
- Методология инновационного инженерного проектирования (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования вычислительных систем (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2018/2019 уч. год)
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 2-4 модуль)Рус
- Разработка вычислительных систем (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Технология и проектирование электронной компонентной базы (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-3 модуль)Рус
Учебные курсы (2017/2018 уч. год)
- Проектирование и технология электронной компонентной базы (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-3 модуль)Рус
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 2-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Функциональные узлы и компоненты робототехнических систем (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Цифровая обработка сигналов (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Публикации45
- Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Ли Б., Чжан С. TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 5. С. 374-386. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 120-123. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 286-288. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021) Вып. 4. М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers, in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). San Jose, CA USA: IEEE, 2020. P. 56-60. doi
- Глава книги K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
- Глава книги Попов Д. А. TCAD моделирование сбоеустойчивости SELBOX и DSOI КМОП КНИ ячеек памяти // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 227-229. doi
- Глава книги Petrosyants K., D.A. Popov, Li B., Wang Y. TCAD-SPICE Investigation of SEU Sensitivity for SOI and DSOI CMOS SRAM Cells in Temperature Range up to 300 °C, in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15. P. 31-34.
- Статья Харитонов И. А., Попов Д. А., Рахматуллин Б. А. Методика определения параметров SPICE-моделей для анализа влияния ОЯЧ на КМОП-схемы при уменьшении размеров транзисторов // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 379-385. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide, in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
- Глава книги Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology, in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018 Vol. 11022G. SPIE, 2019. P. 1-6. doi
- Статья Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D. Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1163. P. 1-6. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi
- Статья Petrosyants K. O., Popov D. Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2019. Vol. 48. No. 7. P. 467-469. doi
- Глава книги Попов Д. А. TCAD-моделирование субмикронных и нанометровых МОПТ КНИ структур с учётом температуры и радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. М. : ООО "Спектр", 2019. С. 270-277.
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала // В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия. НИИСИ РАН, 2019. С. 27-28.
- Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
- Статья Petrosyants K., Popov D., Bykov D. TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7. P. 487-493. doi
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 5. С. 521-525. doi
- Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 404-405. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. V. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В. TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 569-581. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
- Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
- Статья Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС) // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Popov D. High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures, in: 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 Vol. 119. P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27-30. doi
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
- Глава книги Попов Д. А., Харитонов И. А. Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.
- Книга Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
- Глава книги Попов Д. А. Моделирование тепловых процессов в структуре КМОП КНИ инвертора // В кн.: Микроэлектроника и информатика – 2013. Тезисы докладов. Зеленоград : МИЭТ, 2013. С. 108-108.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.
- Глава книги Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs, in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
- Статья K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, Popov D. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
- Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
- Глава книги Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
Конференции
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- 20172017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (Чэнду). Доклад: 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects
- 2016
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
- 2015XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование 45нм High-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения
Опыт работы
2021-н.в. Доцент Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
2019-2021 Старший преподаватель Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
2016-2019 Ассистент Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Информация*
- Общий стаж: 6 лет
- Научно-педагогический стаж: 5 лет
- Преподавательский стаж: 5 лет
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».
В МИЭМ прошла III летняя школа «Электроника, наноэлектроника и интернет вещей»
В работе школы приняли участие около 30 студентов и выпускников бакалавриата. В числе докладчиков школы были как ведущие преподаватели МИЭМ НИУ ВШЭ, так и приглашенные сотрудники профильных российских компаний.
Защита диссертации Д.А. Попова
17 декабря прошла успешная защита диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования» старшим преподавателем Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Поповым Дмитрием Александровичем.
Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»
В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.
В МИЭМ прошла II Летняя школа "Электроника, наноэлектроника и интернет вещей"
В период с 07 по 09 июля 2020 г. в МИЭМ состоялась летняя онлайн школа «Электроника, наноэлектроника и интернет вещей». Обучение проводилось в онлайн-формате на платформе Zoom.
«Вы сегодня оказались в нужном месте»: как прошел день открытых дверей для будущих абитуриентов
Участников ждала большая программа: встречи с руководством института и его образовательных программ, шоурум инженерно-технологических разработок студентов, интеллектуальные «Игры разума», практикум решения олимпиадных задач, общение со студентами и многое другое.
Актуальные проблемы спецстойкой электроники
С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
Будущие выпускники школ, будущие абитуриенты!
12 ноября 2017 года МИЭМ НИУ ВШЭ проводил День открытых дверей. Приглашались будущие выпускники школ, лицеев, гимназий, колледжей - все, кого интересуют математика, физика, электроника, информационные технологии, компьютерная безопасность, современные инженерные специальности.
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ