Попов Дмитрий Александрович
- Ассистент:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент компьютерной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
Образование
Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
2017 6-8 октября («Вороново», Москва). Выездной семинар кадрового резерва НИУ ВШЭ «Коллаборативные технологии как средство повышения эффективности преподавательской и исследовательской деятельности».
2017 14-15 июня (Yandex, Москва). Интенсив (лекционный курс) по подготовке преподавателей к участию в проекте Data Culture.
2017 21-23 апреля («Вороново», Москва). Выездной семинар кадрового резерва НИУ ВШЭ «Реализация академических проектов: новые возможности профессионального развития молодых преподавателей и исследователей университета».
2016 5-22 декабря (Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва) Удостоверение о повышении квалификации «Управление проектами в высшем образовании».
2016 26 октября (Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (МИЭТ), Зеленоград). Семинар «MIPSfpga и Connected MCU» (Imagination Technologies Group plc).
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые преподаватели до 30 лет" (2017)
Учебные курсы (2018/2019 уч. год)
- Проектный семинар "Основы проектирования вычислительных устройств и систем" (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; программа "Информатика и вычислительная техника"; 2-й курс, 2-4 модуль)Рус
- Разработка вычислительных систем (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; программа "Информатика и вычислительная техника"; 3-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; программа "Инжиниринг в электронике"; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Схемотехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; программа "Информатика и вычислительная техника"; 3-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Технология и проектирование электронной компонентной базы (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; программа "Инжиниринг в электронике"; 1-й курс, 1-3 модуль)Рус
Публикации30
- Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
- Глава книги Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. Modeling of the submicron MOSFETs characteristics for UTSi technology, in: International Conference on Micro- and Nanoelectronics - 2018, ICMNE 2018. ООО “МАКС Пресс”: SPIE, 2018. doi P. 29-29.
- Статья Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D. Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure // Journal of Physics: Conference Series. 2018. No. 1103. P. 1-6. (в печати)
- Статья Petrosyants K., Popov D., Bykov D. TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7 (в печати)
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 5. С. 521-525. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. V. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В. TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 569-581. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
- Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
- Статья Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС) // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
- Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Popov D. High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures, in: 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 Vol. 119. P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27-30. doi
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
- Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
- Глава книги Попов Д. А., Харитонов И. А. Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.
- Книга Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
- Глава книги Попов Д. А. Моделирование тепловых процессов в структуре КМОП КНИ инвертора // В кн.: Микроэлектроника и информатика – 2013. Тезисы докладов. Зеленоград : МИЭТ, 2013. С. 108-108.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
- Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.
- Глава книги Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs, in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
- Статья K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, Popov D. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
- Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
- Глава книги Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
Конференции
- 2018XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
- XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
- 20172017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (Чэнду). Доклад: 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects
- 2016
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
- 2015XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование 45нм High-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения
Точные измерения – основа качества и безопасности
С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.
Будущие выпускники школ, будущие абитуриенты!
12 ноября 2017 года МИЭМ НИУ ВШЭ проводил День открытых дверей. Приглашались будущие выпускники школ, лицеев, гимназий, колледжей - все, кого интересуют математика, физика, электроника, информационные технологии, компьютерная безопасность, современные инженерные специальности.
Международный авиационно-космический салон МАКС-2017
С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.
Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017
С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.
Международный форум «Микроэлектроника 2016»
С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
