Ихсанов Ренат Шамильевич
- Старший научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Научно-учебная лаборатория квантовой наноэлектроники
- Доцент:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Руководитель образовательной программы:Материалы. Приборы. Нанотехнологии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2014 году.
- Научно-педагогический стаж: 18 лет.
Образование, учёные степени
- 2009Кандидат физико-математических наук
- 1999
Специалитет: Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), специальность «Физика металлов»
Достижения и поощрения
- Лучший преподаватель – 2018
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2019-2020, 2017-2018)
Надбавка за статью в зарубежном рецензируемом журнале (2015-2017)
Выпускные квалификационные работы студентов
- Магистратура
Кузнецов А. А. «Численный расчет фазовых диаграмм и термодинамических свойств кластеров ультрахолодных атомов, локализованных в двумерных оптических решетках». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2019
Кузнецов А. Э. «Численный расчет характеристик поверхностного фотоэффекта в плазмонных наночастицах». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2019
Епифанова Г. С. «Численный расчёт фазовой диаграммы двух связанных цепочек холодных атомов в рамках модели Хаббарда с притяжением». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2018
Боловин А. А. «Разработка антенного устройства моноимпульсного вторичного радиолокатора». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2017
Конов К. И. «Численное моделирование распространения электромагнитной волны в струе ракетного двигателя в приближении геометрической оптики». Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, 2017
Научный руководитель диссертационных исследований
Учебные курсы (2019/2020 уч. год)
Аналитические и численные методы моделирования (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника", направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника"; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Высшая математика для прикладной физики (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Проектно-исследовательский семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "09.03.01. Информатика и вычислительная техника", направление "11.03.02. Инфокоммуникационные технологии и системы связи", направление "10.03.01. Информационная безопасность"; 1-й курс, 2-4 модуль)Рус
Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "09.03.01. Информатика и вычислительная техника", направление "11.03.02. Инфокоммуникационные технологии и системы связи"; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2018/2019 уч. год)
Аналитические и численные методы моделирования (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника", направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника"; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Высшая математика для прикладной физики (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Проектно-исследовательский семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "09.03.01. Информатика и вычислительная техника", направление "11.03.02. Инфокоммуникационные технологии и системы связи"; 1-й курс, 2-4 модуль)Рус
Учебные курсы (2017/2018 уч. год)
Аналитические и численные методы моделирования элементов и материалов наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника", направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника"; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Высшая математика для прикладной физики (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Научно-исследовательский семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Учебные курсы (2016/2017 уч. год)
- Высшая математика для прикладной физики (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Методы математического моделирования (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника", направление "11.04.04. Электроника и наноэлектроника"; 1-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Научно-исследовательский семинар "Прикладная физика" (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Физика (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Учебные курсы (2015/2016 уч. год)
- Методы стохастического моделирования в естественных и социальных науках (Маго-лего; 3, 4 модуль)Рус
- Научный семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
Учебные курсы (2014/2015 уч. год)
- Защита электронных средств от воздействия статического электричества (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Защита электронных средств от статического электричества (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 3, 4 модуль)Рус
- Моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на бортовую радиоэлектронную аппаратуру (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Научный семинар (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Расчеты с применением универсальных математических пакетов: Mathcad, Matlab и Comsol (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 2-4 модуль)Рус
Конференции
- 2019
The 9th International Conference on Surface Plasmon Photonics (SPP9) (Копенгаген). Доклад: Broadening of dipole and quadrupole plasmonic resonances due to collisions of electrons with the surface of a spherical plasmonic nanoantenna
- 2017
Progress In Electromagnetics Research Symposium 2017 (St Petersburg). Доклад: Bulk photoemission from plasmonic nanoparticles: physical models and software tools
- 20167th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (Малага). Доклад: Modeling of bulk electron photoemission from plasmonic nanoantennas of different shapes and sizes
- Cуперкомпьютерное моделирование в естественных и инженерных науках (Supercomputer Simulations in Science and Engineering) (Москва). Доклад: Modeling of bulk electron photoemission from plasmonic nanoantennas of different shapes and sizes.
- International Conference on Metamaterials and Nanophotonics METANANO - 2016 (Анапа). Доклад: Photoemission of electrons from plasmonic nanoantennas. // International Conference on Metamaterials and Nanophotonics
- 2015SPIE Optics + Optoelectronics (Прага). Доклад: Hot electron photoemission from plasmonic nanoantennas: photoelectric metamaterials and giant photogalvanic effect
Прочие публикации36
- Статья Khan M., Nikitenko V., Tyutnev A. P., Ikhsanov R. Joint Application of Transport Level and Effective Temperature Concepts for an Analytic Description of the Quasi- and Nonequilibrium Charge Transport in Disordered Organics // The Journal of Physical Chemistry C. 2019. Vol. 3. No. 123. P. 1653-1659. doi
- Статья Burovski E., Ikhsanov R., Kuznetsov A., Kagan M. Phase diagrams of polarized ultra-cold gases on attractive-U Hubbard ladders // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1163. No. 012046. P. 012046-1-012046-5. doi
- Статья Andrey Tyutnev, Vladimir Saenko, Renat Ikhsanov, Evgenii Krouk. Radiation-induced conductivity in polymers under pulsed and long-time small-signal irradiations combined to determine their step-function response // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 9. P. 095501(1)-095501(9). doi
- Статья Ikhsanov R., Novitsky A., Protsenko I. E., Uskov A. Bulk Photoemission from Plasmonic Nanoantennas of Different Shapes. // The Journal of Physical Chemistry C. 2018. Vol. 122. No. 22. P. 11985-11992. doi
- Статья A.P.Tyutnev, R.Sh. Ikhsanov, V.S. Saenko, Nikerov D. Numerical analysis of the photo-injection time-of-flight curves in molecularly doped polymers // Chemical Physics. 2018. Vol. 503. P. 65-70. doi
- Глава книги Ikhsanov R., Усков А., Проценко И., Новицкий А. Bulk photoemission from plasmonic nanoparticles: physical models and software tools, in: Proceedings of 38th Progress in Electromagnetics Research Symposium (PIERS), 22-25 May, 2017, St Petersburg, Russia. , 2017. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
- Статья Р.Ш. Ихсанов, М.А. Афанасьева, В.С. Саенко, А.П. Тютнев Экспериментальные и теоретические исследования радиационно-индуцированной проводимости полимеров, используемых в электровакуумной термоизоляции космических аппаратов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2016. Т. 2. С. 26-31.
- Статья A.P. Tyutnev, V.S. Saenko, E.D. Pozhidaev, R.Sh. Ikhsanov. Experimental and Theoretical Studies of Radiation-Induced Conductivity in Spacecraft Polymers // IEEE Transactions on Plasma Science. 2015. Vol. 43. No. 9. P. 2915 - 2924. doi
- Статья Ikhsanov R., Babicheva V. E., Zhukovsky S. V., Protsenko I. E., Smetanin I. V., Uskov A. Hot Electron Photoemission from Plasmonic Nanostructures: The Role of Surface Photoemission and Transition Absorption // ACS Photonics. 2015. Vol. 2. No. 8. P. 1039-1048.
- Статья A.P. Tyutnev, R.Sh. Ikhsanov, V.S. Saenko. Temporal evolution of an ion pair with a perfectly reflecting recombination sphere // Chemical Physics. 2015. Vol. 463. P. 47-51. doi
- Статья Ikhsanov R. Transition absorption as a mechanism of surface photoelectron emission from metals // Physica Status Solidi RRL. 2015. Vol. 9. No. 10. P. 570-574.
- Статья Ихсанов Р. Ш., Бабичева В. Е., Проценко И., Усков А., Гужва М. Объемная фотоэмиссия из металлических пленок и наночастиц // Квантовая электроника. 2015. Т. 45. № 1. С. 50-58.
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Novikov S. V. Comparison of the time of flight current shapes predicted by hopping and multiple trapping models // Chemical Physics. 2014. Vol. 440. P. 1-7.
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Novikov S. V. Comparison of the time of flight current shapes predicted by hopping and multiple trapping models // Chemical Physics. 2014. Vol. 440. P. 1-7.
- Статья Ikhsanov R., Проценко И., Uskov A., Guzhva M. DEPENDENCE OF THE ELECTRON PHOTOEMISSION FROM METALLIC NANOPARTICLES ON THEIR SIZE // Journal of Russian Laser Research. 2014. Vol. 35. No. 5. P. 501-508.
- Статья Uskov A. V., Protsenko I. E., Ikhsanov R., Babicheva V., Zhukovsky S., Lavrinenko A., O'Reilly E., Xu H. Internal photoemission from plasmonic nanoparticles: comparison between surface and volume photoelectric effects // Nanoscale. 2014. Vol. 6. P. 4716-4727.
- Статья Zebrev G., Petrov A., Useinov R., Ikhsanov R., Ulimov V., Anashin V., Elushov I., Drosdetsky M., Galimov A. Simulation of Bipolar Transistor Degradation at Various Dose Rates and Electrical Modes for High Dose Conditions // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2014. Vol. 61. No. 4. P. 1785-1790.
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Saenko V. S., Pozhidaev E. D. The influence of negative charged centers on the hole transport in a typical molecularly doped polymer // Chemical Physics. 2014. Vol. 431–432. P. 51-57. doi
- Глава книги Никеров А. В., Ихсанов Р. Ш. Особенности времяпролетных кривых в поликарбонате, молекулярно допированном тритолиламином // В кн.: Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013) / Науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 319-324. (в печати)
- Статья Ихсанов Р. Ш., Проценко И., Усков А. Повышение эффективности органических солнечных элементов с помощью плазмонных наночастиц // Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 10. С. 1-8.
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Saenko V. S., Pozhidaev E. D. Analysis of the carrier transport in molecularly doped polymers using the multiple trapping model with the Gaussian trap distribution // Chemical Physics. 2012. Vol. 115. No. 404. P. 88-93. doi
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Saenko V. S., Pozhidaev E. D. The Role Played by a Polymer Matrix in the Transfer of Charge Carriers in Molecularly Doped Polumers // Russian Journal of Physical Chemistry B. 2012. Vol. 6. No. 2. P. 315-320.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Дисперсионный транспорт в молекулярно допированных полимерах: теория и эксперимент // Электрохимия. 2012. Т. 48. № 2. С. 208-216.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Роль полимерной матрицы в переносе носителей заряда в молекулярно допированных полимерах // Химическая физика. 2012. Т. 31. № 3. С. 76-81.
- Статья Тютнев А. П., Грач Е. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Транспорт дырок в полистироле и поликарбонате, допированных полярными допантами // Высокомолекулярные соединения. Серия А. 2012. Т. 54. № 2. С. 273-280.
- Статья Tyutnev A. P., Ikhsanov R., Saenko V. S., Pozhidaev E. D. Analysis of the time-of-flight transients in molecularly doped polymers using the Gaussian disorder model // Journal of Physics: Condensed Matter. 2011. Vol. 23. No. 325105. P. 1-6. doi
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Грач Е. П., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Радиационно-физические аспекты переноса носителей заряда в молекулярно допированном полистироле // Химия выскоих энергий . 2011. Т. 45. № 3. С. 233-240.
- Статья Саенко В. С., Фельдман В. И., Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Нерето М. О., Баранова И. А. Роль стабильных свободных радикалов в радиационной электропроводности полиэтилена низкой плотности // Химия выскоих энергий . 2011. Т. 45. № 1. С. 51-54.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Теоретическое описание электронного транспорта в гомо- и молекулярно допированных полимерах // Химия выскоих энергий . 2011. Т. 45. № 5. С. 437-444.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Универсальный характер дисперсионного транспорта в молекулярно-допированных полимерах // Высокомолекулярные соединения. Серия А. 2011. Т. 53. № 2. С. 275-283.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Никитенко В. Р., Пожидаев Е. Д. Неравновесный транспорт носителей заряда в модели многократного захвата с гауссовым распределением ловушек по энергии // Высокомолекулярные соединения. Серия А. 2010. Т. 52. № 4. С. 646-652.
- Статья Тютнев А. П., Ихсанов Р. Ш., Саенко В. С., Пожидаев Е. Д. Об интерпретации данных, получаемых методом времени пролета с регулируемой толщиной зоны генерации // Высокомолекулярные соединения. Серия А. 2010. Т. 52. № 9. С. 1623-1632.
- Глава книги Нерето М. О., Баранова И., Ихсанов Р. Ш. Радиационная электропроводность полиэтилена с учетом образования и накопления свободных радикалов // В кн.: Труды XIX Международного совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 31 августа - 5 сентября 2009 г.) / Отв. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : Издательство ГНУ НИИ ПМТ, 2009. С. 603-612.
- Глава книги Ихсанов Р. Ш., Грач Е. П., Королев Н., Востриков А. В. Теоретическое описание электронного транспорта в молекулярно допированных полимерах // В кн.: Труды XIX Международного совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 31 августа - 5 сентября 2009 г.) / Отв. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : Издательство ГНУ НИИ ПМТ, 2009. С. 553-558.
- Глава книги Ихсанов Р. Ш., Демиденко А., Доронин А., Нерето М. О. Численное решение уравнений модели Роуза-Фаулера-Вайсберга // В кн.: Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь , 9-14 июля 2007 г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2007. С. 267-274.
Авторские права и патенты
программа для ЭВМ«Управляющий пакет прикладных приложений для численного расчета уравнений модели Роуза-Фаулера-Вайсберга»2007613136
Наноплазмоника и фотоника: наука и приложения
С 26 по 31 мая 2019 г. в столице Дании Копенгагене, в отеле «Scandic Copenhagen» прошла международная научная конференция «Surface Plasmon Photonics» – SPP9. Конференция была посвящена наноплазмонике – относительно молодой, но бурно развивающейся области физики.
Моделирование электронной фотоэмиссии из плазмонных наноантенн различных форм и размеров
В Российском университете дружбы народов доцент ВШЭ Р.Ш. Ихсанов провел лекцию по теме “Моделирование электронной фотоэмиссии из плазмонных наноантенн различных форм и размеров”
Научные новости лаборатории
Сотрудник лаборатории доц. Р.Ш. Ихсанов опубликовал статью "Numerical analysis of the photo-injection time-of-flight curves in molecularly doped polymers" в журнале Chemical Physics.
Семинар для победителей конкурса НИРС 2018 и актива студенческих научных организаций
Сотрудники лаборатории А.С. Васенко и Р.Ш. Ихсанов приняли участие в выездном семинаре для победителей конкурса НИРС 2018 и актива студенческих научных организаций НИУ ВШЭ. В рамках семинара прошло TALK-ШОУ на тему «Большие вызовы» в современной науке: с чем встретятся научные исследования в ближайшие годы?
О квантовых компьютерах и мировом рынке полупроводников
В учебном центре «Вороново» в первой половине февраля прошла зимняя инженерно-техническая школа для поступающих в магистратуру МИЭМ НИУ ВШЭ. В этом году школа собрала студентов старших курсов бакалавриата из 16 вузов 3-х стран и 14 городов РФ.
Презентации научно-исследовательских работ студентов и аспирантов лаборатории «Квантовой наноэлекторники»
4 и 5 декабря успешно состоялись презентации научно-исследовательских работ студентов и аспирантов НУЛ «Квантовой наноэлектроники»
Особенно хорошо выступили студенты бакалавриата!
Задачи теоретической механики, физики и распределенных вычислений в реальной жизни
19 сентября 2018 года в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел еженедельный научно-исследовательский семинар «Суперкомпьютерное моделирование в науке и инженерии, или Вычислительные среды», который на этот раз включал в себя 2 доклада
Стажировка в ЦЕРН
Елена Орлова, студентка 4-го курса образовательной программы «Прикладная математика», приняла участие в работе летней студенческой школы в ЦЕРН, где в составе команды разработчиков программного комплекса GeantV занималась моделированием прохождения элементарных частиц через вещество с использованием методов машинного обучения.
«Наша программа близка к аналогичным программам ведущих американских университетов, в первую очередь, MIT»
В 2017 году в Вышке открывается магистерская программа «Материалы. Приборы. Нанотехнологии». Ее студенты будут не просто изучать новейшие материалы и технологии, но и самостоятельно конструировать высокотехнологичные приборы. Подробнее о программе рассказывает ее научный руководитель, профессор НИУ ВШЭ, член-корреспондент РАН Максим Каган.
ФГУПП «НИИП» - 60
Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.
