• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Владение языками
английский
Контакты
Телефон:
+7 (495) 772-9590 доб. 15214
+7 (916) 314-0461
Электронная почта:
Адрес: Таллинская ул., д. 34, каб. 000
Время присутствия: вторник 11:00 - 19:00 четверг 14:00 - 19:00
Расписание
Резюме (DOC, 34 Кб)
SPIN РИНЦ: 2630-5597
ORCID: 0000-0001-8947-8227
ResearcherID: H-7826-2015
Scopus AuthorID: 56711354200
Google Scholar
Руководитель
Львов Б. Г.
Версия для печати

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Харитонов Игорь Анатольевич

  • Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
  • Научно-педагогический стаж: 29 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

  • 2002
    Ученое звание: Доцент
  • 1998

    Кандидат технических наук: Московский институт электронного машиностроения, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», тема диссертации: разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно стойких МДП БИС

  • 1985

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, специальность «конструирование и производство ЭВА»

  • 1985

    Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «Конструирование и производство ЭВА»

Достижения и поощрения

  • Лучший преподаватель – 2017, 2016

  • Надбавка за академическую работу (2017-2018, 2016-2017)

Выпускные квалификационные работы студентов

Полный список ВКР

Учебные курсы (2017/2018 уч. год)

Учебные курсы (2016/2017 уч. год)

Учебные курсы (2015/2016 уч. год)

Учебные курсы (2014/2015 уч. год)

Учебные курсы (2013/2014 уч. год)

Учебные курсы (2012/2013 уч. год)

Конференции

  • 2017
    XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C)

  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов

  • XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели

  • 2016

    The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model

  • 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС)

  • 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016» (Лыткарино). Доклад: Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии

  • Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм

  • 24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects

  • XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
  • 2015

    EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects

  • Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
  • The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography

  • VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography

  • Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
  • ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
  • International conference "Science in the modern information society IV" (North Charleston). Доклад: Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process.
  • 2014
    The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components
  • III Международная научно-практическая конференция Инновационные информационные технологии (Прага). Доклад: EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE
  • The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Участие в конференциях и выставках

                                                             2017 год

Международный Форум «Микроэлектроника 2017»,   3-я Международная конференция «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули»,   2 -7 октября 2017 г. , г. Алушта (Республика Крым). Форма участия - представил   доклады:

1.   Петросянц К. О., Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г., Особенность моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС

 

XV-ая научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 27-29 сентября 2017 г., г. Москва – Дубна.  Форма участия - представил   доклады:

- "Учет радиационно-индуцированных токов утечки при высоких температурах в SPICE модели КНИ МОПТ ",

- "TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока  в КНИ МОПт при повышенных температурах", соавторы:  Петросянц К.О., Попов Д.А..

 

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017, 18 -23 июля 2017, г. Жуковский (Моск. обл.) (https://www.aviasalon.com/). «МАКС» является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов. Форма участия - Представил экспонат «Программно-аппаратный комплекс для исследования электронной компонентной базы для аэро-космических применений» (раздел «Вузовская наука и авиационно-техническое творчество молодежи».). Соавторы: Петросянц К.О.,  Львов Б.Г.,  Самбурский Л.М., Попов Д.А., Исмаил-Заде М.Р., Кожухов М.В., Балакин С.В., Кофанов Ю.Н., Манохин А.И., Мелех Н.А.).

 

Пятый юбилейный Международный  форум  технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», с 20 по 23 июня 2016 г., г. Новосибирск, МВК «Новосибирск Экспоцентр» . Форма учасття - представил экспонат  «Аппаратно-программный комплекс для измерения и параметризации компонентов экстремальной электроники для гражданского и специального применений.» (соавторы: К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде и др.).

 

16-ая Российская научно-техническая конференция  «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА», c 3 по 7 июля 2017 года,  г. Суздаль. Форма участия - представил   доклады:

- "ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ SPICE-МОДЕЛЕЙ КНИ МОПТ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ (ДО МИНУС 200°C)" (соавторы:  И.А. Четвериков, Е.Ю. Кузин),

- "ПОДСИСТЕМА СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ КМОП БИС
С УЧЁТОМ СОВМЕСТНОГО ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ И ТЕПЛОВЫХ ЭФФЕКТОВ
"

 

Крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». 13 - 17 марта 2017, США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины».Форма участия - соавтор доклада: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C», соавторы Петросянц К.О., Самбурский Л.М. , Стахин В.Г., Лебедев С.В., Исмал-Заде М.Р., Игнатов П.

Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2017 г., проводил  ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - представил   доклад: «Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов ,  Л. М. Самбурский, М.Р.  Исмаил-Заде, В. Г. Стахин,  С. В. Лебедев) 

                                                             2016 год

24-ой Международный форум по телекоммуникациям (24-th Telecommunications Forum, TEFOR 2106). Белград, Сербия, 22-23 ноября 2016 г. Форма участия - представил   доклад:  Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, Соавторы: К.О. Петросянц, Е.И. Батаруева

Международная конференция 22-nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). Будапешт, Венгрия, 21-23 сентября 2016. Форма участия- соавтор доклада "Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)". Авторы:Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. 

Международный форум «Микроэлектроника 2016», г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября 2016 г.  2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули». Форма участия - представил   доклад:  "Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С)  при уменьшении размеров до 0,18 мкм". Авторы: Петросянц К.О., Харитонов, И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Лебедев С. В., Стахин В. Г. (Зеленоградский нанотехнологичечский Центр).

Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем», проводимая ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино, 7-8 июня 2016. Форма участия - представил стендовые  доклады: 1) "Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»); 2) Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300оС)", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов , В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)

 

Международная конференция   The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016), 6.04.2016 - 8.04.2016, Бразилия, Фос-ду-Игиасу. Форма участия - cоавтор доклада. Доклад "Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model". Соавторы: Петросянц К.О, Львов Б.Г., Самбурский Л.М.

 

2015 год

 III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2-  4 декабря 2015 года.  Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонаты: 

  - Система целевой подготовки и переподготовки инженерных кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей;

-  Аппаратно-программный комплекс для  исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена  научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

-  Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

 

Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress. Meeting of NDT Experts», 12 -14 октября 2015 г., Чехия, г. Прага . Форма участия- соавтор доклада на тему  «Неразрушающий тестирование перегрева электронных компонентов методами инфракрасной термографии» («Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography»). Докладчик  - соавтор, профессор НИУ ВШЭ Петросянц К.О.

Международная конференция  "Science in the modern information society IV" 13.07.2015 - 14.07.2015 США, North Charleston. Форма участия: докладчик. Доклад "Unified compact model for power BJTs to account for selfheating effects in IC and PCB design process" .

 

Международная специализированная выставка «Импортозамещение—2015», МВЦ «Крокус-ЭКСПО», 14 - 17 сентября 2015 г. Форма участия- соавтор доклада от МИЭМ НИУ ВШЭ на тему «Система целевой подготовки и переподготовки кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей». Соавторы - Тихонов А. Н., Абрамешин А. Е., Львов Б. Г., Петросянц К.О., Увайсов С. У.,  (все МИЭМ НИУ ВШЭ), Балакин С. В. (РКК «Энергия» им. С. П. Королёва), Крутиков В. Н. (ВНИИОФИ), Казанский А. Г. (НИИСУ), Четыркин А. Н. (НИИКП).

 

ХIV научно-техническая  конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, ОАО НПП «Пульсар», 7-9 октября 2015 года .Форма участия- доклад на тему "Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов", соавторы К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский,  В.М. Олухов. Соавтор доклада "Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)". Авторы К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов

 

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым,  Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- Соавтор доклада :        Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы:  К.О. Петросянц, П.А. Козынко, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов.     Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов.     Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С). Соавторы: С. В. Лебедев, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, К.О. Петросянц

 

Крупнейшая международная  конференция по методам и применениям инфракрасной термографии (The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications).  Охватывает широкий круг вопросов, касающихся методов и областей применения термографии: аппаратура для термографии,  методы термографии,  обработка тепловизионных изображений,  области примененния термографии от материалов до зданий, здоровья людей, астрономии. Пиза, Италия, 29.09.2015 - 2.10.2015. Форма участия- доклад на тему "Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography" (Анализ нагрева проводников современных печатных плат протекающим токов с помощью средств термографии). Соавторы: К.О. Петросянц, А.А. Попов

 

Крупнейшая международная Европейская конференция по радиационной стойкости «Radiation Effects on Components and Systems» (RADECS 2015), 14-18 сентября 2015 г. Москва. Посвящена представлению и обсуждению последних достижений в области радаиационных эффектов в электронных и фотоэлектронных материалах, приборах, схемах, сенсорах, системах. Форма участи - соавтор доклада "Rad-hard versions of spice MOSFET models for effective simulation of SOI/SOS CMOS circuits taking into account radiation effects". Соавторы K. O. Petrosyants, L.M. Sambursky, A.S. Mokeev

 

Ежегодная 18-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2015» (г. Лыткарино),  2-3 июня 2015 г.    Конференция прошла в  соответствии с Планом проведения научно-технических мероприятий Госкорпорации «Росатом». Ее провдил ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов». Форма участия: докладчик. Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик. Соавторы: К.О. Петросянц, Л.М. Самбурский,

     Joint IEEE International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon , EUROSOI-ULIS- 2015, 2015 Bologna, Italy, 26.01.2015 - 28.01.2015 Соавтор доклада "SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L.M. Sambursky
 

15-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 25.02.2015 - 26.02.2015 Российская Федерация, Нижний Новгород. Форма участия: докладчик. Доклад: Универсальная  SPICE модель КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе платформ BSIM-SOI и EKV-SOI. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский
 

                                                             2014 год

11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника».25-27 ноября 2014,  Крокус Экспо, " Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации", "Исследование тепловых полей  в  мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки". Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и  И.А. Харитонова. 
И.А. Харитонов - руководитель команды студентов и аспирантов на выставке.

 

XI Международная научно-практическая конференция «ИННОВАЦИИ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ И КОММУНИКАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» (ИНФО-2014) 1.10.2014 - 10.10.2014 Российская Федерация, Сочи. Соавтор доклада "Подсистема проектирования интегральных схем с учетом действия фактров температуры и радиации доклада на конференции". Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.

 

1-й Всероссийский форум технологического лидерства России "ТЕХНОДОКТРИНА-2014", 6.11.2014 - 7.11.2014 Российская Федерация, Москва. Соавтор доклада "Система целевой подготовки специалистов в области электроники для аэрокосмической отрасли, построенная на базе научно-образовательных модулей «вуз-предприятие»". А.Н. Тихонов, Б.Г. Львов, К.О. Петросянц, С.У. Увайсов, И.А. Харитонов , С.В. Балакин, А.Н. Четыркин, В.Н. Крутиков
 

10th European Workshop on Microelectronics Education, 14.05.2014 - 16.05.2014 Эстония, Таллин, соавтор доклада "The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link", A.N. Tikhonov, B.G. Lvov, K.O. Petrosyants, S.U. Uvaysov, I.A. Kharitonov, V. Balakin, A.N., Chetyrkin, V.N. Krutikov
 
 III Международная научно-практическая конференция Innovative Information Technologies, 21.04.2014 - 25.04.2014, Чехия, Прага. Соавтор доклада "EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE". K.O. Petrosyants, I.A. Kharitonov, M.V. Kozhukhov, L.M. Sambursky
 

The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering, 8.03.2014 - 9.03.2014 Малайзия, Куалу-Лумпир. Соавтор доклада, докладчик. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components. K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov, 
 


14-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 
27.02.2014 - 28.02.2014 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик. Доклад: Моделирование элементов БиКМОП БИС с учетом радиационных эффектов. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.В. Кожухов

 

                                                            2013 год
10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013,  Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:
1)База данных по характеристикам и параметрам моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2)Исследование тепловых характеристик преобразователей напряжения с помощью ИК тепловизионной установки 
 Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и  И.А. Харитонова. 
И.А. Харитонов - руководитель команды студентов и аспирантов на выставке.

 

12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. 10.09.2013 - 13.09.2013 Италия, Туриню Соавтор доклада "ELECTRONIC COMPONENTS THERMAL REGIMES INVESTIGATION BY IR THERMOGRAPHY".  K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, A. A. Popov, 
 

  Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры",  авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М. 

Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г.  Santander, Испания с 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- стендовый доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems", соавтор - К.О. Петросянц.

Техническое совещание «Проблемы математического моделирования  РЭА на этапах её разработки»,  ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики  им. Н.Л. Духова»,  22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - доклад на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Петросянц К. О., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов. 

Летняя многопрофильная школа ВШЭ, 14 июля - 21 июля 2013 года, подмосковный дом отдыха Колонтаево . Форма участия - мастер класс «Применение тепловизоров в жизни людей». Помощник- аспирант Кортунов А.В.


II  Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага,22–26 апреля.
Форма участия -  докладчик. Тема доклада:  ""ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы  Петросянц К.О., Попов Д. А. Получен сертификат участника.

Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г.  Форма участия - доклад на тему «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects». Соавторы ПЕтросянц К.О., Самбурский Л.М.

13-ий  научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 
27.02.2013 - 28.02.2013  Российская Федерация, Нижний Новгород 
форма участия: участник, соавтор доклада Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС


                                                      2012 год 
12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 
29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Библиографические карточки доклада на конференции:
Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий

Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012"
18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области
форма участия: участник

«ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012»
26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль
форма участия: докладчик
Доклады на конференции:
1) МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ
2) Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM – EWDTS’12
14.09.2012 - 17.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады на конференции:
1) New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
2) Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV RAD macromodel

Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем
11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва
форма участия: участник

 Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)
14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады:
1. New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
2. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel


9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо»
В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ
были представлены два экспоната :
1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.
 К.О. Петросянц и  И.А. Харитонов  - руководители выставленных работ.

 

Публикации78

Опубликованные тезисы докладов

  • Харитонов И. А. Определение параметров SPICE-моделей с учётом радиационного воздействия // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
  • I. A. Kharitonov. Device Compact Models for Radiation Hardened IC Design // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011

Участие в грантах, НИР и ОКР

2015

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик . Заказчик- ФГУП «ВНИИА». Ответственный исполнитель работы.

- НИР «Разработка и исследование моделей МОП-КНИ транзисторов с учетом воздействия нейтронов». Заказчик - ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Ответственный исполнитель работы.

2014

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - ответстственный исполнитель.
 

2013

- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участи - отвественный исполнитель.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий  микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участи - отвественный исполнитель.
 

2012

  • НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники»,  гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) – Исполнитель
  • НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем»,  гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
  • НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Отв. исполнитель

2011

  • НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Отв. исполнитель
  • НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - - Исполнитель
  • НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
  • НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Отв. исполнитель

Расписание занятий на сегодня

Полное расписание

Международный форум «Микроэлектроника 2017»

Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная  площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур  микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.

XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем

В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017

С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.

«Делай в России!»

В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016

On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.

Международный форум по телекоммуникациям и информационным технологиям

С 22 по 23 ноября 2016 в г. Белград, Сербия, прошел 24-ый Международный Форум по телекоммуникациям (24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016). Форум был организован Министерством образования, науки и технологического развития Сербии, Министерством торговли, туризма и телекоммуникаций Сербии, Отделением Общества IEEE по Сербии и Черногории.

Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств

В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.  

19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника"

15-17 марта 2016 года в Москве, в МВЦ "Крокус Экспо" прошла 19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Выставка является крупнейшей по количеству и самой представительной по составу участников радиоэлектронной промышленности в России и Восточной Европе.

XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»

Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.

Международное совещание VIIIth International Workshop NDT in Progress

С 12 по 14 октября 2015 г. в столице Чехии г. Прага состоялось Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс» (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress).

Выставка «Импортозамещение - 2015»

С 14 по 17 сентября 2015 г. в МВЦ «Крокус-ЭКСПО» проходила крупная международная специализированная выставка «Импортозамещение - 2015». Высокий статус выставки подтвердил визит на выставку представительной делегации во главе с Председателем Правительства РФ Д.А. Медведевым.

18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)

Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).

Выставка «Силовая Электроника» в Москве

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо»  прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта  выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.