Силкин Денис Сергеевич
- Доцент:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
Образование, учёные степени
- 2018Кандидат технических наук: Московский институт электронной техники
- 2012
Специалитет: Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника», квалификация «Инженер»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
2023. Прошел обучение в Национальном исследовательском университете «Высшая школа экономики» по программе "Современные подходы к управлению проектами"
2024. Прошел обучение в Национальном исследовательском университете «Высшая школа экономики» по программе "Программирование на языке Python для сбора и анализа данных"
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Проектный семинар (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
- Теория электрических цепей (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электротехника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Проектный семинар (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 4-й курс, 1-3 модуль)Рус
- Проектный семинар (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 3-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Электротехника и электроника (Бакалавриат; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 3, 4 модуль)Рус
Публикации17
- Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А., Переверзев Л. Е., Морозов А. А., Тургенев П. В. Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2023. Т. 28. № 6. С. 826-837. doi
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi
- Глава книги K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
- Статья Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D. Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling // Micromachines. 2022. Vol. 13. No. 8. Article 1293. doi
- Статья K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov. Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 8. P. 644-648. doi
- Статья K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Li B., Zhang X. TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 7. P. 545-551. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
- Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Ли Б., Чжан С. TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 5. С. 374-386. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 120-123. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 286-288. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021) Вып. 4. М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
- Статья Силкин Д. С., Падеров В. П. CALCULATION OF THE INFLUENCE OF SHUNT PARAMETERS ON THE DV/DT EFFECT IN POWER PHOTOTHYRISTORS // Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 7. С. 468-471. doi
- Статья Падеров В. П., Силкин Д. С., Горячкин Ю. В., Хапугин А. А., Гришанин А. В. ВЛИЯНИЕ ПРОТОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО Р-N ПЕРЕХОДА // Радиотехника и электроника. 2017. Т. 62. № 6. С. 616-620. doi
- Статья Силкин Д. С., Падеров В. П. РАСЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ШУНТОВ НА ЭФФЕКТ DV/DT В МОЩНЫХ ФОТОТИРИСТОРАХ // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 1. С. 35-40.
- Статья Горячкин Ю. В., Падеров В. П., Силкин Д. С. МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГЛУБИНЫ ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ФАСКИ НА НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ СИЛОВОГО ТИРИСТОРА В ПРЯМОМ БЛОКИРУЮЩЕМ НАПРАВЛЕНИИ // Проектирование и технология электронных средств. 2016. № 3. С. 28-31.
- Статья Силкин Д. С., Падеров В. П. ОПРЕДЕЛЕНИЕ НОМИНАЛОВ ЭЛЕМЕНТОВ СНАББЕРНЫХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ ТИРИСТОРОВ В СОСТАВЕ ИНВЕРТОРА ТОКА ДЛЯ ПЕЧИ ИНДУКЦИОННОЙ ПЛАВКИ // Практическая силовая электроника. 2014. № 4. С. 12-16.
Опыт работы
2021-2022 гг – научный сотрудник департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
2018-2020 гг – начальник конструкторского бюро АО «Орбита», г. Саранск.
2017-2018 гг – инженер-конструктор АО «Орбита», г. Саранск
Информация*
Общий стаж: 6 лет
Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки
Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»
С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.
Учителя и ученики растут вместе!
От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».