Комаров Сергей Дмитриевич
- Аспирант:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Департамент физики
- Стажер-исследователь:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2021 году.
Полномочия / обязанности
Обязанности:
1. Выполнение испытаний, измерений и других видов работ при проведении исследований и разработок.
2. Участие в сборе и обработке материалов в процессе исследований в соответствии с утвержденной программой работы.
3. Наблюдение за исправным состоянием лабораторного оборудования, осуществление его наладки.
4. Подготовка оборудования (приборов, аппаратуры) к проведению экспериментов, осуществление его проверки и простой регулировки согласно разработанным инструкциям и другой документации.
5. Участие в выполнении экспериментов, осуществение необходимых подготовительных и вспомогательных операций, проведение наблюдений, снятие показаний приборов, ведение рабочих журналов.
6. Обработка, систематизация и оформление в соответствии с методическими документами результатов испытаний, измерений, ведение их учета.
7. Произведение выборки данных из литературных источников, реферативных и информационных изданий, нормативно-технической документации в соответствии с установленным заданием.
8. Выполнение вычислительных работ, связанных с проводимыми исследованиями и экспериментами.
9. Выполнение отдельных служебных поручений своего непосредственного руководителя.
Образование
- 2023
Магистратура: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Нанотехнологии и микросистемная техника», квалификация «Магистр»
- 2020
Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Нанотехнологии и микросистемная техника», квалификация «Бакалавр»
Обучение в аспирантуре
1-й год обучения
Утвержденная тема диссертации: Исследование статических и динамических явлений в А3В5 микролазерах с активной областью на основе квантовых точек
Научный руководитель: Крыжановская Наталья Владимировна
Публикации8
- Статья Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Караборчев А. А., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Махов И. С., Жуков А. Е. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии // Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 5. С. 3-6. doi
- Статья N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh, S. D. Komarov, I. S. Makhov, E. I. Moiseev, Guseva J., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Lihachev A., Khabibullin R., Galiev R., Pavlov A., Tomosh K., M. V. Maximov, A. E. Zhukov. III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides // Journal of Applied Physics. 2023. Vol. 134. No. 10. Article 103101. doi
- Статья Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N., Shandyba N., Sergey Komarov, Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Solodovnik M. Influence of the Arsenic Pressure during Rapid Overgrowth of InAs/GaAs Quantum Dots on Their Photoluminescence Properties // Crystals. 2023. Vol. 13. No. 9. Article 1358. doi
- Статья S. D. Komarov, Gridchin V. O., Lendyashova V. V., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dvoretckaia L. V., A. S. Dragunova, I. S. Makhov1, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E., A. E. Zhukov. Optical properties of single InGaN nanowires with core-shell structure // St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 114-120. doi
- Статья Shugabaev T., Gridchin V., Sergey D. Komarov, Kirilenko D., Natalia V. Kryzhanovskaya, Kotlyar K. P., Reznik R. R., Girshova Y., Nikolaev V., Kaliteevski M., Cirlin G. E. Photoluminescence Redistribution of InGaN Nanowires Induced by Plasmonic Silver Nanoparticles // Nanomaterials. 2023. Vol. 13. No. 6. Article 1069. doi
- Статья Балакирев С. В., Кириченко Д. В., Комаров С. Д., Драгунова А. С., Черненко Н. Е., Шандыба Н. А., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Солодовник М. С. Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 4. С. 276-281. doi
- Статья Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А., Комаров С. Д., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Гусева Ю. А., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Хабибуллин Р. А., Галиев Р. Р., Павлов А. Ю., Томош К. Н., Махов И. С., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 11. С. 1483-1485. doi
- Статья Balakirev S., Chernenko N., Kryzhanovskaya N., Shandyba N., Kirichenko D., Dragunova A., Komarov S., Zhukov A., Solodovnik M. Photoluminescence properties of InAs quantum dots overgrown by a low-temperature GaAs layer under different arsenic pressures // Electronics. 2022. Vol. 11. No. 23. Article 4062. doi
Опыт работы
2020-2021 Лаборант, Лаборатория нанофотоники, СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова
2021-н. в. Стажер-исследователь, Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург
2021-2022 Преподаватель физики, Подготовительные курсы Политеха для школьников, СПбПУ
2022-2023 Преподаватель математики, Факультет довузовского образования, НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург
Информация*
Четверо ученых из Питерской Вышки выиграли грант РНФ по химии
Проект ученых из Центра междисциплинарных фундаментальных исследований получил грант Российского научного фонда. Победителями грантового конкурса стали Алексей Мадисон, Сергей Козырев, Павел Мадисон и Сергей Комаров. Они будут заниматься исследованием структуры икосаэдрических квазикристаллов.
Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.