• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Моделирование радиационной электризации нанопроводящего диэлектрика

ФИО студента: Азаров Максим Дмитриевич

Руководитель: Тютнев Андрей Павлович

Кампус/факультет: Факультет информационных технологий и вычислительной техники

Программа: Компьютерное моделирование в космической технике и технологиях (Магистратура)

Год защиты: 2015

АННОТАЦИЯ Магистерской диссертационной работы студента группы ИВТМ-22 М.Д. Азарова на тему: МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ЭЛЕКТРИЗАЦИИ НАНОПРОВОДЯЩЕГО ДИЭЛЕКТРИКА Проведено компьютерное моделирование радиационного заряжения диэлектриков с удельной объемной проводимостью 10-9 - 10-14 . Показано, что чем выше проводимость, тем лучше обеспечивается сток заряда, вносимого в диэлектрик при электронном облучении, и уменьшается вероятность возникновения электростатических разрядов. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для ряда специально изготовленных образцов композитного модельного диэлектрика с задаваемыми значениями удельной объемной проводимости.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ