Планарная резонансная наноловушка электронов

ФИО студента: Обухова Галина Александровна

Кампус/факультет: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова

Программа: Прикладная математика (Бакалавриат)

Год защиты: 2017

В работе исследуется плоская ловушка Пеннинга с осевой симметрией в случае резонанса. Однородное магнитное поле слегка отклонено от оси симметрии ловушки. На геометрию плоских электродов, напряжения, приложенные к ним, и угол отклонения магнитного поля от оси наложены ограничения, которые обеспечивают двойной резонанс: в главной части гамильтониана системы и в главной части возмущения по малому углу отклонения магнитного поля. В работе проведено двойное квантовое усреднение. Усредненный гамильтониан явно выражен через образующие алгебры совместных симметрий двух генераторов усреднения. В зависимости от резонансной пропорции вторичного резонанса, исходный гамильтониан с помощью когерентного преобразования либо записан в виде обыкновенного дифференциального уравнения второго порядка, либо для него получена асимптотика спектра в первых двух порядках по величине магнитного поля.

Выпускные квалификационные работы (ВКР) в НИУ ВШЭ выполняют все студенты в соответствии с университетским Положением и Правилами, определенными каждой образовательной программой.

Аннотации всех ВКР в обязательном порядке публикуются в свободном доступе на корпоративном портале НИУ ВШЭ.

Полный текст ВКР размещается в свободном доступе на портале НИУ ВШЭ только при наличии согласия студента – автора (правообладателя) работы либо, в случае выполнения работы коллективом студентов, при наличии согласия всех соавторов (правообладателей) работы. ВКР после размещения на портале НИУ ВШЭ приобретает статус электронной публикации.

ВКР являются объектами авторских прав, на их использование распространяются ограничения, предусмотренные законодательством Российской Федерации об интеллектуальной собственности.

В случае использования ВКР, в том числе путем цитирования, указание имени автора и источника заимствования обязательно.

Реестр дипломов НИУ ВШЭ